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公开(公告)号：CN118448253B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410529186.3
申请日：2024-04-29
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 杨双泽
IPC分类号： H01L21/306 , H05B1/02 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种腐蚀炉及其控制方法，属于晶圆加工领域，腐蚀炉包括炉体、加热装置、多个腐蚀槽及控制器，炉体的底部设置有多个定位槽，加热装置包括输入支路、输出支路及多个并联的加热支路，多个加热支路两端分别连接于输入支路和输出支路，输入支路和输出支路分别用于连接电源，每个加热支路上均串联有加热电阻、可变电阻以及电子开关，多个加热电阻一一对应地设置于多个定位槽的底部，多个腐蚀槽能一一对应地放置于多个定位槽内以被对应的加热电阻加热，控制器同时与多个可变电阻和多个电子开关电连接，用于根据外部指令控制多个可变电阻和多个电子开关的工况，以控制多个加热电阻的加热功率，从而实现不同种类和尺寸的晶圆的同时腐蚀。
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公开(公告)号：CN118727153A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410849749.7
申请日：2024-06-27
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 张忠辉
摘要： 本发明的实施例提供了一种电场辅助晶体生长装置和方法，涉及半导体领域。一种电场辅助晶体生长装置，电场辅助晶体生长装置包括坩埚和平行板电容器。坩埚绝缘，且坩埚内的底部为用于装载碳化硅粉末的装粉区，坩埚内的顶部为长晶区，装粉区与长晶区之间为升化区。平行板电容器包括阳极板和阴极板，阳极板设置在升化区的下方，阴极板设置在升化区的上方，阳极板和阴极板之间可形成电场以使升化区内的碳化硅气氛电离而带正电，并可让带电的碳化硅气氛在预生长阶段和主长晶阶段在电场力和温度梯度的共同作用下向上传输至长晶区沉积。其能够使气氛以更加均匀的径向分布传输至长晶区沉积，从而可以提高长晶的质量。
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公开(公告)号：CN117187961B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311228737.4
申请日：2023-09-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种气动补料长晶设备和方法，涉及长晶设备技术领域。气动补料长晶设备包括单向阀、送粉器、第一气体支路、第二气体支路和旁通支路；单向阀安装在坩埚的底部，送粉器通过管路连接到单向阀、且与坩埚的内部连通，第一气体支路和第二气体支路均连接到送粉器、用于分别向送粉器中通入氩气和氮气，送粉器中用于装入硅粉，送粉器中的硅粉在氩气或氮气的冲力作用下补入到坩埚内，第一气体支路和第二气体支路输入的气体可通过旁通支路越过送粉器进入坩埚；该设备和方法能够在长晶过程中向坩埚内补入硅粉，改善坩埚内碳与硅的浓度比，提高长晶的良率，还能够使碳化硅粉末原料利用率提高，减少原料浪费。
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公开(公告)号：CN118321755A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410756469.1
申请日：2024-06-13
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅激光冷裂方法，属于晶圆加工领域，包括以下步骤：S100，激光照射碳化硅晶体的端面；S200，对所述碳化硅晶体进行冷却；S300，被激光照射的部位从碳化硅晶体上裂开脱离以形成碳化硅晶圆。其中，步骤S200具体包括以下步骤：S210，向碳化硅晶体通入第一冷却介质以进行冷却；S220，将所述碳化硅晶体静置预设时长；S230，向碳化硅晶体通入第二冷却介质以进行冷却。本碳化硅激光冷裂方法通过对激光照射后的碳化硅晶体进行三段式冷却，可以有效减少碳化硅晶体的缺陷，提高碳化硅晶体的质量，从而提高切割出的碳化硅晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN118186590A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410542440.3
申请日：2024-04-30
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 邓欢
摘要： 本发明公开了一种具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长设备领域。该具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置包括长晶炉、保温层、坩埚及传热组件，保温层容置于长晶炉内，保温层形成有保温区域，坩埚容置于保温区域内，传热组件设置于保温层上并贯穿保温层，传热组件用于伸长至与长晶炉的炉侧壁接触，以将保温区域内的热量传递至炉侧壁。本发明提供的具有散热调控能力的碳化硅晶体生长装置能够在温度过高时对坩埚进行散热保护，保证碳化硅晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN117101363B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311237420.7
申请日：2023-09-22
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01D53/26
摘要： 本发明公开了一种籽晶粘贴室用新风装置，涉及新风技术领域。该籽晶粘贴室用新风装置包括主体及一级除湿模块，主体具有新风通道，新风通道具有进风端与出风端；一级除湿模块包括集风罩、空压机、压缩机、冷媒冷凝器、冷媒蒸发器及匀流罩，集风罩、空压机、冷媒蒸发器在新风通道内由进风端至出风端依次排布；集风罩用于将新风导入空压机，匀流罩用于将空压机输出的新风均匀扩散入新风通道并流向出风端；压缩机、冷媒冷凝器及冷媒蒸发器通过冷媒管路依次连接形成循化回路，冷媒蒸发器具有组成新风管路一部分的新风管段，以及组成冷媒管路一部分的第一冷媒管段。本发明提供的籽晶粘贴室用新风装置能够为籽晶粘贴室提供满足要求的低湿度新风。
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公开(公告)号：CN116926670B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310857993.3
申请日：2023-07-12
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 林育仪
摘要： 本申请公开了一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅，涉及半导体领域。用液相法制备碳化硅的方法包括：将原料装入石墨坩埚，石墨坩埚的内表面包括沿径向从外向内延伸的曲线壁面，曲线壁面的母线为最速下降曲线；加热原料以得到原料熔体；将籽晶与原料熔体接触，并在惰性气体和氮气的混合气体中进行碳化硅晶体的生长。通过设置曲线壁面的母线为最速下降曲线，能够增强原料熔体从边缘向中心流动的流速，在石墨坩埚中部形成较强的上升流股，加强原料熔体中心的对流强度。这样可以避免晶体生长过程中，中部位置的熔体对流明显弱于边缘位置的问题，从而提高碳化硅晶体的均匀性。
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公开(公告)号：CN117816047A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410252044.7
申请日：2024-03-06
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料连续合成设备和方法，涉及碳化硅合成技术领域，该设备包括反应炉、加热环、气体控制装置、吊装旋转装置和承载装置，在反应炉内由上至下依次设置进料过渡仓、反应仓和出料过渡仓，在反应仓的周围设置加热环实现反应加热，并通过气体控制装置来控制炉内的气氛类型和气压。在反应炉的顶部设置吊装旋转装置，在反应炉的底部设置承载装置。相较于现有技术，本发明实施例提供的碳化硅粉料连续合成设备，能够实现向反应炉内连续加入坩埚，实现不间断式的粉料合成动作，从而实现了碳化硅粉料的连续合成，大大提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN116695238B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310703657.3
申请日：2023-06-14
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置及方法在开启顶加热器和最高处的主加热器以使碳化硅晶体开始生长后，通过检测碳化硅晶体的生长图像计算碳化硅晶体的生长速率，并检测坩埚侧壁上与碳化硅晶体的生长面等高的预设部位的温度，根据碳化硅晶体的生长速率或者预设部位的温度调节顶加热器和多个主加热器的工况，以使预设部位的温度和碳化硅晶体的生长速率始终处于目标范围内，直至碳化硅晶体生长结束。这样就可以使得碳化硅晶体的生长速率以及预设部位的温度始终处于较为理想的目标范围内，从而提高碳化硅晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN117205838B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311467103.4
申请日：2023-11-07
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： B01J6/00 , C01B32/956
摘要： 本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料合成装置及碳化硅粉料，涉及碳化硅生产领域，碳化硅粉料合成装置包括支撑架、内坩埚和外坩埚，内坩埚设置于支撑架且能绕自身轴线转动，内坩埚的轴线沿水平方向延伸，内坩埚上开设有第一排杂孔，外坩埚设置于支撑架且罩住内坩埚，外坩埚与内坩埚相对固定且轴线重合，外坩埚上开设有第二排杂孔。通过设置可转动的内坩埚，可以为碳化硅粉料的合成提供温度梯度变化的热场，从而提高合成的碳化硅粉料中可用粒径的碳化硅颗粒的占比，从而提高原料的利用率，降低碳化硅粉料合成的成本。
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