- 专利标题: 一种富拓扑缺陷的碳量子点/还原氧化石墨烯全碳材料的制备方法及应用
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申请号: CN202310942380.X申请日: 2023-07-30
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公开(公告)号: CN117069096A公开(公告)日: 2023-11-17
- 发明人: 于畅 , 侯思懿 , 邱介山 , 常江伟 , 丁一旺
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
- 代理机构: 大连星海专利事务所有限公司
- 代理商 王树本; 徐雪莲
- 主分类号: C01B32/15
- IPC分类号: C01B32/15 ; C01B32/184 ; B82Y20/00 ; B82Y40/00 ; H01G9/20 ; H01G9/042
摘要:
本发明属于碳材料制备技术领域,一种富拓扑缺陷的碳量子点/还原氧化石墨烯全碳材料的制备方法及应用,其中制备方法,包括以下步骤:(1)富五边形拓扑缺陷的碳量子点的制备,(2)富拓扑缺陷的碳量子点/还原氧化石墨烯气凝胶的制备,(3)富拓扑缺陷的碳量子点/还原氧化石墨烯全碳材料的制备。本发明制备的目标材料富拓扑缺陷的碳量子点/还原氧化石墨烯全碳材料具有丰富的五边形拓扑缺陷,能够有效提高非掺杂石墨烯的催化性能。另外,目标材料富拓扑缺陷的碳量子点/还原氧化石墨烯全碳材料相比于市购Pt电极表现出了更高的I3‑催化活性能,是一种在染料敏化太阳能电池领域具有广泛应用前景的材料。