本发明提出了一种用于化合物半导体单晶的低位错生长装置，属于晶体制备技术领域，所述生长装置包括密闭的炉体、炉体的坩埚、籽晶杆、观察窗、多段加热器和覆盖剂移除装置，所述覆盖剂移除装置包括回收器、回收器管脚；本发明在晶体长成之后、退火之前，将液态覆盖剂通过覆盖剂移除装置移除，在后续工艺过程中，不会由于覆盖剂的凝固造成晶体缺陷。本发明提出的装置具备直拉法生长大直径、低成本的优势，同时又具备垂直梯度凝固法晶体的低位错缺陷的优势，具有很强的实用性。