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公开(公告)号：CN115896946A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211562684.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种磷化铟多晶合成的方法，属于半导体技术领域，包括：将坩埚内的铟加热形成熔体；打开冷凝器；将磷加热气化，气化的磷蒸气进入坩埚中的熔体，与铟化合反应生成磷化铟；溢出熔体的磷蒸气与冷凝器发生热交换，凝结成液滴，流入液磷输送管；液磷输送管内的液态磷液面逐渐增加到一定高度时，封堵打开，液磷流入到石英磷容器中；反应完成后，停止加热器和磷加热器工作，降至室温，拆分装置，取出坩埚。本发明采用冷凝技术将逃逸的磷蒸气回收后继续参与反应，大大提高原材料的利用率；提高单次多晶的合成量，大幅提高合成效率；逃逸的磷蒸气回收利用，省去了了繁琐的炉子清洗过程；可以实现装填一次磷，多次合成磷化铟。
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公开(公告)号：CN115216831A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210829102.9
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 党冀萍 , 孙聂枫 , 史艳磊 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 邵会民 , 刘惠生 , 王阳 , 李晓岚 , 马春雷 , 王维 , 康永 , 李亚旗 , 赵红飞
IPC: C30B11/00
Abstract: 一种可控温度梯度的晶体生长装置及方法，涉及半导体、光学晶体及金属晶体制备领域，晶体生长装置包括坩埚及配套组件、熔体温度梯度控制机构、晶体温度梯度控制机构；熔体温度梯度控制机构设置在坩埚内部，包括升降杆、加热板；晶体温度梯度控制机构包括恒温冷水机、冷水循环管路。生长方法包括在晶体生长期间，逐渐增加恒温冷水机供水流量，直至增加至30L/min；上升熔体温度梯度控制机构，提拉速度为2‑5mm/h。本发明在熔体中设置可移动的加热装置，通过精准控制加热装置的位置和温度来改善熔体中的温度梯度；在坩埚杆内部通入精准流量、温度基本恒定的冷却水来控制籽晶处的温度梯度，实现晶体高质量、高成品率的生长。
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公开(公告)号：CN117071052A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311080548.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明提出了一种用于化合物半导体单晶的低位错生长装置，属于晶体制备技术领域，所述生长装置包括密闭的炉体、炉体的坩埚、籽晶杆、观察窗、多段加热器和覆盖剂移除装置，所述覆盖剂移除装置包括回收器、回收器管脚；本发明在晶体长成之后、退火之前，将液态覆盖剂通过覆盖剂移除装置移除，在后续工艺过程中，不会由于覆盖剂的凝固造成晶体缺陷。本发明提出的装置具备直拉法生长大直径、低成本的优势，同时又具备垂直梯度凝固法晶体的低位错缺陷的优势，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN117071068A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311080535.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提出了一种用于化合物半导体单晶的低位错生长方法，属于晶体制备技术领域，基于晶体生长装置实现，所述晶体生长装置包括密闭的炉体、炉体的坩埚、籽晶杆、观察窗、多段加热器和覆盖剂回收装置，所述覆盖剂回收装置包括回收器、回收器管脚；本发明在晶体长成之后、退火之前，将液态覆盖剂通过覆盖剂回收装置移除，在后续工艺过程中，不会由于覆盖剂的凝固造成晶体缺陷。本发明提出的方法具备直拉法生长大直径、低成本的优势，同时又具备垂直梯度凝固法晶体的低位错缺陷的优势，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN117026362A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311150836.5
申请日：2023-09-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 一种通过隔离氧化硼避免晶体开裂的方法，属于晶体制备技术领域，所述方法为在晶体生长完成后，使用隔离片将磷化铟晶体和液态氧化硼隔离。采用本发明提出的方法，在晶体生长完成后，在氧化硼凝固前，将液态氧化硼与磷化铟晶体进行隔离，氧化硼凝固过程中，氧化硼与磷化铟晶体不接触或接触面积很小，减小甚至消除了对磷化铟晶体的不良影响，避免了晶体的开裂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115869881A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210938188.9
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 王书杰 , 付莉杰 , 徐森锋 , 康永 , 姜剑 , 刘惠生 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘峥 , 张晓丹 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 薛静 , 谷伟侠 , 吴中超 , 吴畏 , 高鹏 , 王赫
IPC: B01J19/18 , B01J19/00 , B01J4/02 , B01J4/00 , B01J3/02 , B01J3/00 , C30B28/04 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/44
Abstract: 一种离心扩散合成化合物的装置和方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、离心扩散系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动离心扩散系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
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公开(公告)号：CN115198368A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
Abstract: 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
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公开(公告)号：CN115216831B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202210829102.9
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 党冀萍 , 孙聂枫 , 史艳磊 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 邵会民 , 刘惠生 , 王阳 , 李晓岚 , 马春雷 , 王维 , 康永 , 李亚旗 , 赵红飞
IPC: C30B11/00
Abstract: 一种可控温度梯度的晶体生长装置及方法，涉及半导体、光学晶体及金属晶体制备领域，晶体生长装置包括坩埚及配套组件、熔体温度梯度控制机构、晶体温度梯度控制机构；熔体温度梯度控制机构设置在坩埚内部，包括升降杆、加热板；晶体温度梯度控制机构包括恒温冷水机、冷水循环管路。生长方法包括在晶体生长期间，逐渐增加恒温冷水机供水流量，直至增加至30L/min；上升熔体温度梯度控制机构，提拉速度为2‑5mm/h。本发明在熔体中设置可移动的加热装置，通过精准控制加热装置的位置和温度来改善熔体中的温度梯度；在坩埚杆内部通入精准流量、温度基本恒定的冷却水来控制籽晶处的温度梯度，实现晶体高质量、高成品率的生长。
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公开(公告)号：CN115198368B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210829110.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 邹学锋 , 王维 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永
Abstract: 一种半导体化合物注入合成方法，涉及半导体材料的合成，基于合成系统完成，所述合成系统采用开放式气源装置，所述方法包括：放置材料、下探开放式气源装置、融化金属材料、气化气源材料完成合成。有益效果：本发明的合成方法，开放式气源装置挡板下面部分为反应腔，合成时，气源材料与熔体接触面积至少为传统双管接触面积的22倍。本发明在反应腔内，没有覆盖剂的隔离，两种反应元素始终在液面接触。在具体实施案例中，使用本发明方法合成磷化铟材料，相比传统双管注入法合成，本方法效率提高了12倍。
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公开(公告)号：CN115869853A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210938160.5
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 史艳磊 , 孙聂枫 , 王书杰 , 刘峥 , 付莉杰 , 徐成彦 , 秦敬凯 , 邵会民 , 王阳 , 李晓岚 , 刘惠生 , 张晓丹 , 张鑫 , 李亚旗 , 赵红飞 , 康永 , 谷伟侠 , 吴中超 , 吴畏 , 高鹏 , 王赫
Abstract: 一种化合物低温连续合成装置及合成方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动旋转飞轮系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
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