本发明涉及高分子聚合物技术领域，尤其涉及IPC C07C229领域，更具体的，涉及一种低吸光度的光敏剂及其在光刻胶组合物中的应用。所述低吸光度的光敏剂结构的通式为I或II，所述每种结构中均包括阳离子部分和阴离子部分：#imgabs0#其中，R1、R2、R3取代基中包含芳香基团或烷基基团，Rx包括碳原子数量在5‑20的单环、多环或立体笼状结构的烷基取代基中的一种，Rf包括三氟甲基、全氟丁基、全氟乙基、全氟丙基中的一种。使用特定的光敏剂，减少光刻胶配方的吸光度，可以改善光刻胶的底部站脚和形貌不佳的问题。