一种溶剂生产设备、溶剂制备及取用方法

    公开(公告)号:CN109696802B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN201910041575.0

    申请日:2019-01-16

    IPC分类号: G03F7/004

    摘要: 本发明适用于光刻胶制备技术领域,提供了一种溶剂生产设备、溶剂制备及取用方法。该溶剂生产设备包括含循环过滤组件的制备系统以及利用氮气压料方式取料的取用系统。本发明中的溶剂生产设备,通过循环过滤方式来有效过滤掉溶剂中的颗粒度,并通过氮气压料方式来进行取料,整个过程在密封或氮气环境下运行,颗粒度控制较好,可长时间保持溶剂的纯度以及可避免溶剂在使用前被环境污染。

    一种生产ArF光刻胶树脂及其制备工艺

    公开(公告)号:CN114292353B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202111608869.0

    申请日:2021-12-27

    摘要: 本发明适用于功能高分子材料领域,提供了一种生产ArF光刻胶树脂的制备工艺,包括:清洗微通道反应设备;设定微通道反应器加热温度为60‑80℃,分别开启溶剂进料泵、丙烯酸酯单体进料泵和偶氮二甲酯类引发剂进料泵;反应液进入微通道反应器后,通过阀门控制管路压力为1‑5MPa;在取样口接收反应液样品进行在线分析,检测结果合格后,将终端阀门切换至产品罐,反应结束后关闭管路阀门。本发明由于采用特殊的引发剂偶氮二甲酯类引发剂结合使用微通道反应设备,合理控制流速、温度和压力,制备的ArF光刻胶树脂分子量分布极低,可以达到1.1以下,单金杂0.5ppb以下。而且本发明制备工艺可生产,产品质量可靠。

    含氟类胆固醇阴离子光致产酸剂、制备及其光刻胶组合物

    公开(公告)号:CN114933627B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202210486980.5

    申请日:2022-05-06

    摘要: 本发明提供了一种含氟类胆固醇阴离子光致产酸剂、制备方法及其光刻胶组合物。含氟类胆固醇阴离子光致产酸剂中的氟原子可作为氢键受体,提高光致产酸剂在光刻胶内的溶解性及更有效地减缓质子扩散,从而提高光刻胶分辨率和线宽粗糙度,且在大量使用时可有效提高整款光刻胶的接触角,避免小分子的光敏剂在镜头液体中析出而污染昂贵的光刻机镜头,更适用于浸没式光刻胶的使用环境;可利用氟原子作为氢质子受体的性质,通过氢键作用吸附质子,同时降低分子在烘烤过程的振动,进一步减慢酸的扩散速度;配合以此类胆固醇类化合物固有的大分子量、普遍具有多个极性基团的特点,可控制光刻胶曝光及烘烤后的光酸扩散距离,减小光刻胶显影后的边缘粗糙度。

    可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂、制备方法及光刻胶

    公开(公告)号:CN112592304B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202011530148.8

    申请日:2020-12-22

    摘要: 本发明适用于光刻胶领域,提供了一种可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂,用于光刻胶的制备。该可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂具有如下结构通式(I):其中,n为大于等于1的整数;R1~R4为H、碳原子数为1~20的烷基、芳基或含硫/氧/氮杂原子的取代基中的一种或多种;阴离子M‑为磺酸阴离子。本发明的可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂具有双鎓盐结构,相对于单一鎓盐结构的光致产酸剂,本发明的可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂具有较高的产酸效率,可以适用于多种波长的光源。由于本发明的可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂本身就是可聚合型的,所以使用该可聚合型含双鎓盐结构的光致产酸剂的光刻胶不需要再额外的添加光刻胶树脂。

    一种新型底部抗反射涂层组合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN114706273A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202111671202.5

    申请日:2021-12-31

    IPC分类号: G03F7/09

    摘要: 本发明提供了一种新型底部抗反射涂层组合物及其制备方法,所述底部抗反射涂层组合物包括下述质量百分比的原料:主体树脂0.5%‑15%、含芳环结构的交联剂A 5%‑15%、交联剂B 0.1%‑5%、热敏酸0.1%‑1%、余量为溶剂。该底部抗反射涂层组合物含有芳环结构,特别是当含有芳基的甘脲结构,可以通过改变含芳基的比例,方便的调整n/k值,大大降低底部抗反射涂层组合物产品在n/k值方面的调整难度,减少光刻胶底部界面出现反射和诸如驻波等问题,提高光刻工艺中线宽解析度。

    一种高纯2-乙基-2-金刚烷醇甲基丙烯酸酯的提纯方法

    公开(公告)号:CN110256251B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN201910575274.6

    申请日:2019-06-28

    IPC分类号: C07C69/54 C07C67/48 C07C67/52

    摘要: 本发明适用于化合物提纯技术领域,提供了一种高纯2‑乙基‑2‑金刚烷醇甲基丙烯酸酯的提纯方法,该方法包括步骤:步骤一、将一定量的2‑乙基‑2‑金刚烷醇甲基丙烯酸酯粗品加入到反应瓶内;步骤二、再加入一定量的溶剂A和溶剂B到所述反应瓶内,开启加热并设定温度为30‑80℃,设定搅拌速度为80‑140r/min,加热时间为1‑4h;步骤三、加热完成后,降低至目标温度为0‑30℃,搅拌速度降为10‑40r/min,搅拌时间为3‑8h,使晶体充分析出;步骤四、晶体析出结束后,过滤,取出产品,进行烘干;步骤五、重复步骤一、步骤二、步骤三及步骤四结晶两次,得到烘干后的2‑乙基‑2‑金刚烷醇甲基丙烯酸酯,并对所述2‑乙基‑2‑金刚烷醇甲基丙烯酸酯进行HPLC检测。本发明操作简单、耗时短、收率高、纯度高。

    一种电子级高纯8-羟基喹啉铝的制备方法

    公开(公告)号:CN110922356B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN201911219204.3

    申请日:2019-12-03

    IPC分类号: C07D215/30

    摘要: 本发明公开了一种电子级高纯8‑羟基喹啉铝的制备方法,包括以下步骤:a.提供纯度不低于99vol%的有机溶剂A和有机溶剂B;b.将8‑羟基喹啉铝粗品溶于有机溶剂A中,搅拌,过滤,收集滤液;c.将滤液加入有机溶剂B中,静置,过滤,收集沉淀;d.将步骤c中收集的沉淀在真空条件下加热干燥,即得。该方法操作简单,生产效率高,试剂原料易得,成本低,产率高,符合在有机电致发光材料中的应用需求,且与传统方法相比,更适合大规模生产,适宜在行业内广泛推广。

    一种三苯基硫鎓盐中镁离子的纯化方法

    公开(公告)号:CN113354565A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110488245.3

    申请日:2021-05-06

    IPC分类号: C07C381/12

    摘要: 本发明提供了一种三苯基硫鎓盐中镁离子的纯化方法,包括如下步骤:取100份三苯基硫鎓盐水溶液,加入1%‑10%的磷酸类络合剂;搅拌溶解后,保持温度在15℃‑60℃下搅拌1‑5小时;再加入50‑200份的有机萃取剂,从水溶液中提取硫鎓盐;分液,检测有机相溶液中镁离子含量。本发明将现有制备方法制备出的硫鎓盐水溶液中加入磷酸类络合剂,搅拌溶解后一定温度下搅拌预设时长后,磷酸类络合剂将溶液中镁离子进行吸附,反应结束后进行萃取分离,检测有机相溶液中镁离子的残留,实验表明,纯化后的硫酸盐水溶液中的镁离子得到有效的去除,从而解决了镁离子对后续光致产酸剂纯化的影响。

    一种交错式斜孔结构光栅板的制作方法及光栅板

    公开(公告)号:CN110632690B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN201910869768.5

    申请日:2019-09-16

    IPC分类号: G02B5/18 H01L21/302

    摘要: 本发明适用于光学全息成像技术领域,提供了一种交错式斜孔结构光栅板的制作方法及光栅板,其中,方法包括:对衬底进行直角刻蚀形成凹槽;对所述凹槽的一侧进行斜角刻蚀形成第一斜角;在形成所述第一斜角的衬底上设置第一介质膜并进行晶圆键合形成倒斜角;对形成所述倒斜角的衬底进行斜角刻蚀形成第二斜角;将光刻图形与形成所述第二斜角的衬底结合进行光刻,形成交错式斜台光栅板;在所述交错式斜台光栅板上设置第二介质膜,通过刻蚀形成交错式斜孔结构光栅板。本发明能够增强光学全息成像的效果,且通过投影式光刻方式进行制作交错式斜孔结构光栅板,能够加快制作速度,提高生产效率。