本申请涉及用于静电放电保护的硅控整流器，提供硅控整流器的结构以及形成硅控整流器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱及第二阱。该第一阱具有第一导电类型，且该第二阱具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。该结构还包括第一端子以及第二端子，该第一端子具有掺杂区且该掺杂区具有位于该第一阱中的部分，该第二端子包括具有位于该第一阱中的部分的第二掺杂区以及位于该第二阱中的第三掺杂区。该第一及第二掺杂区具有该第二导电类型，该第三掺杂区具有该第一导电类型，且该第二掺杂区沿横向方向设置于该第一掺杂区与该第三掺杂区间。