- 专利标题: 一种SnO2@In2O3增强银基复合材料的制备方法
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申请号: CN202311104105.7申请日: 2023-08-30
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公开(公告)号: CN117127046B公开(公告)日: 2024-04-16
- 发明人: 周晓龙 , 张正云 , 曹建春 , 黎敬涛
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市一二一大街文昌路68号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市一二一大街文昌路68号
- 代理机构: 昆明隆合知识产权代理事务所
- 代理商 龙燕
- 主分类号: C22C1/05
- IPC分类号: C22C1/05 ; C22C5/06 ; C22C32/00 ; B22F3/23 ; B22F5/12 ; B22F1/18 ; H01H1/0237 ; H01H11/04
摘要:
本发明公开一种SnO2@In2O3增强银基复合材料的制备方法。本发明在惰性气体保护下,将市售的纳米SnO2与铟粉按比例混合后,在高能球磨机中球磨以获得SnO2@In粉体;然后将SnO2@In粉体与银粉、氧化银粉按比例混合均匀,并压制成锭坯后在原位反应烧结炉中烧结,得到SnO2@In2O3增强银基复合材料烧结坯;最后对该烧结坯进行致密化、挤压拉拔制备成丝材。本发明最大的优点在于能够通过原位反应合成获得SnO2@In2O3核壳结构增强银基复合材料,所形成的复合材料界面清洁,界面结合牢固,极大发挥了核壳结构的协同效应,最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@In2O3增强银基复合材料。
公开/授权文献
- CN117127046A 一种SnO2@In2O3增强银基复合材料的制备方法 公开/授权日:2023-11-28