- 专利标题: 一种隔离型DC/DC变换器结温控制方法、装置及设备
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申请号: CN202311403148.5申请日: 2023-10-27
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公开(公告)号: CN117155135B公开(公告)日: 2024-01-30
- 发明人: 桑子夏 , 雷何 , 汪颖翔 , 郑旭 , 黄家祺 , 叶学程 , 刘君瑶 , 颜炯 , 夏方舟 , 王琪鑫 , 侯婷婷 , 杨洁 , 方仍存 , 王思聪 , 张籍 , 杭翠翠 , 王怡聪 , 阮博 , 黄大玮 , 徐秋实 , 杨明 , 王姝 , 余轶
- 申请人: 国网湖北省电力有限公司经济技术研究院
- 申请人地址: 湖北省武汉市武昌区水果湖街徐东路47号
- 专利权人: 国网湖北省电力有限公司经济技术研究院
- 当前专利权人: 国网湖北省电力有限公司经济技术研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市武昌区水果湖街徐东路47号
- 代理机构: 武汉市首臻知识产权代理有限公司
- 代理商 章辉
- 主分类号: H02M3/335
- IPC分类号: H02M3/335 ; H02M1/088 ; H02M1/00 ; H02M1/32
摘要:
一种隔离型DC/DC变换器结温控制方法,首先检测隔离型DC/DC变换器当前电流值,在当前负载电流值大于或小于初始负载电流值时,令隔离型DC/DC变换器的IGBT总温升在电流变化前后恒定不变,基于初始负载电流值下的IGBT开关频率计算得到当前负载电流值下的IGBT开关频率,最后将求解得到IGBT开关频率应用到隔离型DC/DC变换器中,实现隔离型DC/DC变换器的结温恒定控制,IGBT总温升为隔离型DC/DC变换器的高压级与低压级H桥模块中IGBT的温升之和,IGBT的温升为导通损耗温升与开关损耗温升之和,开关损耗温升根据开关频率计算得到。本设计通过调整开关频率以调整开关损耗导致的温升,使IGBT能够在负载电流发生波动时维持结温恒定,(56)对比文件汪张超 计恩荣.某混合集成DC/DC变换器在高加速寿命试验中的失效分析与探讨.电子质量.2016,(第11期),全文.刘佐濂;杨汝;何清平.基于ARM的高效率数控DC/DC变换器设计.广州大学学报(自然科学版).2009,(02),全文.
公开/授权文献
- CN117155135A 一种隔离型DC/DC变换器结温控制方法、装置及设备 公开/授权日:2023-12-01
IPC分类: