Invention Grant
- Patent Title: 击穿电容监测方法、装置、电子设备及可读存储介质
-
Application No.: CN202311445530.2Application Date: 2023-11-02
-
Publication No.: CN117169669BPublication Date: 2024-03-12
- Inventor: 胡琛 , 朱亮 , 李敏 , 刘见 , 晏依 , 伍栋文 , 杨爱超 , 范亚军 , 邓礼敏 , 王毅
- Applicant: 国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
- Applicant Address: 江西省南昌市南昌经济技术开发区芙蓉路999号
- Assignee: 国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
- Current Assignee: 国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
- Current Assignee Address: 江西省南昌市南昌经济技术开发区芙蓉路999号
- Agency: 北京中强智尚知识产权代理有限公司
- Agent 王越
- Main IPC: G01R31/12
- IPC: G01R31/12 ; G01R35/02 ; G06F30/20 ; G06F111/06

Abstract:
本公开涉及电力设备故障监测技术领域,公开了一种击穿电容监测方法、装置、电子设备及可读存储介质;其方法包括获取多个同相的电容式电压互感器的二次侧电压数据;构建多目标优化模型;模型包括以同相电容式电压互感器一次侧电压差距最小为目标的第一个目标函数和以击穿电容数量最小为目标的第二个目标函数,模型的决策变量包括击穿高压电容的数量和击穿低压电容的数量;通过多目标优化算法对多目标优化模型进行求解,得到帕累托最优解集;根据帕累托最优解集,确定各电容式电压互感器中击穿电容的故障信息。本公开创造性地将电容击穿监测问题构造为一个多目标优化问题,可以大大提高监测到的击穿电容的故障信息的准确性。
Public/Granted literature
- CN117169669A 击穿电容监测方法、装置、电子设备及可读存储介质 Public/Granted day:2023-12-05
Information query