发明公开
- 专利标题: 砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法
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申请号: CN202311277793.7申请日: 2023-09-28
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公开(公告)号: CN117198941A公开(公告)日: 2023-12-08
- 发明人: 王晓东 , 计春雪 , 包怡迪 , 陈啸岭 , 李晔 , 刘雯 , 刘庆 , 杨富华
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王文思
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L31/18 ; H01L21/66
摘要:
本发明提供一种砷化镓基太阳电池表面漏电缺陷的定位方法,包括:对砷化镓基太阳电池进行反向电流‑电压曲线扫描,获取砷化镓基太阳电池的反向击穿阈值电压;对砷化镓基太阳电池的正电极面进行光学显微拍照,获取正电极面的光学显微图像;对砷化镓基太阳电池施加反向电压,对正电极面发出的光子进行探测,获取正电极面的光发射位点图像;将光学显微图像与光发射位点图像进行叠加,确定砷化镓基太阳电池上漏电缺陷的发光位置。该方法能够快速实现电池表面漏电缺陷的快速定位。
IPC分类: