防止应用容积中的底部净化侵入和加热器下方的处理气体扩散的硬件
摘要:
示例性半导体处理腔室可包括具有顶表面的基板支撑件。顶表面的外围边缘区域可以相对于顶表面的中间区域凹陷。腔室可包括围绕基板支撑件的外表面设置的泵送衬里。腔室可包括设置在基板支撑件与泵送衬里之间的衬里。衬里可以与外表面间隔开以在衬里与基板支撑件之间限定净化管腔。腔室可包括安置在外围边缘区域上的边缘环。边缘环可以延伸超过基板支撑件的外围边缘并且在衬里的一部分上方。可以在边缘环的底面与衬里的顶表面之间形成间隙。间隙和净化管腔可以流体耦合。
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