发明公开
- 专利标题: 防止应用容积中的底部净化侵入和加热器下方的处理气体扩散的硬件
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申请号: CN202280033902.8申请日: 2022-03-18
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公开(公告)号: CN117280075A公开(公告)日: 2023-12-22
- 发明人: N·帕塔克 , T·A·恩古耶 , A·班塞尔 , B·N·拉马穆尔蒂 , T·鲁比奥 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖; 张鑫
- 优先权: 17/214,011 2021.03.26 US
- 国际申请: PCT/US2022/020865 2022.03.18
- 国际公布: WO2022/203947 EN 2022.09.29
- 进入国家日期: 2023-11-08
- 主分类号: C23C16/44
- IPC分类号: C23C16/44
摘要:
示例性半导体处理腔室可包括具有顶表面的基板支撑件。顶表面的外围边缘区域可以相对于顶表面的中间区域凹陷。腔室可包括围绕基板支撑件的外表面设置的泵送衬里。腔室可包括设置在基板支撑件与泵送衬里之间的衬里。衬里可以与外表面间隔开以在衬里与基板支撑件之间限定净化管腔。腔室可包括安置在外围边缘区域上的边缘环。边缘环可以延伸超过基板支撑件的外围边缘并且在衬里的一部分上方。可以在边缘环的底面与衬里的顶表面之间形成间隙。间隙和净化管腔可以流体耦合。
IPC分类: