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公开(公告)号：CN117280075A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280033902.8
申请日：2022-03-18
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 示例性半导体处理腔室可包括具有顶表面的基板支撑件。顶表面的外围边缘区域可以相对于顶表面的中间区域凹陷。腔室可包括围绕基板支撑件的外表面设置的泵送衬里。腔室可包括设置在基板支撑件与泵送衬里之间的衬里。衬里可以与外表面间隔开以在衬里与基板支撑件之间限定净化管腔。腔室可包括安置在外围边缘区域上的边缘环。边缘环可以延伸超过基板支撑件的外围边缘并且在衬里的一部分上方。可以在边缘环的底面与衬里的顶表面之间形成间隙。间隙和净化管腔可以流体耦合。
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公开(公告)号：CN112105759B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201980031329.5
申请日：2019-07-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。
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公开(公告)号：CN113994024A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044237.3
申请日：2020-06-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C14/56
摘要： 本公开的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。在一种实施方式中，基板处理腔室包括设置在底座和泵送衬里之间的隔离器环。隔离器环包含第一表面，第一表面面向底座，第一表面设置在与底座的外周表面相距一间隙处。隔离器环包括第二表面与突出部，第二表面面向泵送衬里，突出部从隔离器环的第一表面朝向底座的外周表面突出。突出部限定底座与隔离器环之间的间隙的颈缩部分。
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公开(公告)号：CN115443528A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030923.X
申请日：2021-03-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , C23C16/455 , B25J15/00 , B25J15/06 , B25J11/00
摘要： 示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。所述系统可以包括限定与多个处理区域流体耦合的转移区域的转移区域外壳。所述系统可以包括多个基板支撑件，并且多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域与多个处理区域中的相关联的处理区域之间垂直平移。所述系统可以包括转移装置，所述转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置可包括与可旋转轴耦接的终端受动器。终端受动器可包括限定与净化源流体耦接的中央孔的中央毂。终端受动器还可以包括多个臂，所述多个臂具有与多个基板支撑件的基板支撑件数量相等的臂数量。
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公开(公告)号：CN112105759A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031329.5
申请日：2019-07-03
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。
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公开(公告)号：CN118814139A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410878594.X
申请日：2020-06-02
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
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公开(公告)号：CN114174554B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080054583.X
申请日：2020-07-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/32
摘要： 处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
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公开(公告)号：CN113906159B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202080041335.1
申请日：2020-06-02
申请人： 应用材料公司
摘要： 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
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公开(公告)号：CN116034461A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057227.8
申请日：2021-07-08
申请人： 应用材料公司
发明人： N·帕塔克 , V·K·普拉巴卡尔 , B·N·拉马穆尔蒂 , V·卡尔塞卡尔 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。该系统可以包括限定与多个处理区域流体耦接的转移区域的转移区域外壳。该系统可包括多个基板支撑件。多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域和多个处理区域的相关处理区域之间垂直平移。该些系统可以包括转移装置，该转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置还可包括与可旋转轴耦接的端执行器。该些系统可以包括排气前级管道，该排气前级管道包括多个前级管道尾部。多个前级管道尾部中的每个前级管道尾部可以与多个处理区域中的单独的处理区域流体耦接。系统可包括多个节流阀。
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