发明公开

一种芯片划片方法
摘要:
本发明提供一种芯片划片方法,该方法包括:在晶圆上蚀刻沟槽;在沟槽中沉积氮化硅;在晶圆上制作MOSFET;研磨晶圆背面后去除氮化硅;蚀刻ILD层,完成芯片划片。本发明解决了传统刀片切割芯片时由于机械应力切割导致芯片发生崩裂的情况,还能够改善激光切片生产效率低的问题,并且可以有效缩小切割道的宽度,增加有效芯片面积,节省生产成本。
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