发明公开
- 专利标题: 基于PVDF-TrFE的低频冲击能量收集器及制造工艺
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申请号: CN202311138392.3申请日: 2023-09-05
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公开(公告)号: CN117320534A公开(公告)日: 2023-12-29
- 发明人: 文丹丹 , 黄福超 , 张静波 , 吴慧 , 黎人溥 , 郭俊启 , 刘宇
- 申请人: 重庆邮电大学
- 申请人地址: 重庆市南岸区南山街道崇文路2号
- 专利权人: 重庆邮电大学
- 当前专利权人: 重庆邮电大学
- 当前专利权人地址: 重庆市南岸区南山街道崇文路2号
- 代理机构: 重庆市恒信知识产权代理有限公司
- 代理商 刘小红
- 主分类号: H10N30/30
- IPC分类号: H10N30/30 ; H10N30/50 ; H10N30/80 ; H10N30/057 ; H02N2/18
摘要:
本发明请求保护一种基于PVDF‑TrFE的低频冲击能量收集器,该能量收集器包括压电材料层和压电电极层,由拱形、折叠结构组合构成。压电材料层为单层,采用PVDF‑TrFE薄膜;压电电极层有两层,分别作为压电材料层的正负电极。拱形结构下,压电材料层对低频冲击的响应程度强烈,克服了单层平面结构对低频冲击响应微弱的缺陷。折叠结构下,相同电极贴合,不同电极交错,低频冲击产生的电荷在正负电极汇合,形成的电势差变大,克服了单层结构电势差小的缺陷。两种结构结合起来解决了单层平面结构在低频冲击下输出电压低的问题,提高了低频冲击能量收集器的输出功率。