发明公开
- 专利标题: 一种高纯碳化硅粉料的制备方法
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申请号: CN202311294733.6申请日: 2023-10-08
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公开(公告)号: CN117342561A公开(公告)日: 2024-01-05
- 发明人: 尤悦 , 娄艳芳 , 刘春俊 , 刘强 , 杨帆 , 王宝良 , 彭同华 , 杨建
- 申请人: 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司
- 申请人地址: 北京市大兴区丰远街1号院1号楼
- 专利权人: 北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司
- 当前专利权人: 北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市大兴区丰远街1号院1号楼
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 刘颖
- 主分类号: C01B32/984
- IPC分类号: C01B32/984
摘要:
本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的制备方法。与现有技术相比,本发明通过在打孔石墨圆筒内将碳硅混合原料进行高温固相反应即可得到高纯碳化硅粉末,同时可通过调控打孔石墨圆筒的孔洞使合成过程中碳硅原料具有方向性,从而得到粒径可控且分布均匀的高纯碳化硅粉料;并且该方法无需进行破碎筛分等步骤,即可得到所需粒径大小的碳化硅粉料,避免破碎过程中引入杂质元素,提高了碳化硅粉料的纯度,减少了工艺的复杂性,反应过程稳定,提高了制备效果,降低了生产成本。