本发明涉及一种具有复合型P‑EBL的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、底部氮化物DBR、N‑型半导体材料层、多量子阱层、复合型P‑EBL、P‑型半导体材料层、电流限制层、电流扩展层；复合型P‑EBL由三层材料交叠而成，位于中间材料的Al组分低于两侧材料的Al组分，同时中间材料晶格常数大于两侧材料，且两侧的材料参数相同。本发明P‑EBL中插入了一层低Al组分材料，利用材料极化效应形成的电场给空穴赋能。此外，复合型P‑EBL插入层两侧的材料较薄，空穴隧穿几率增大，进一步减弱了P‑EBL对空穴的阻挡效应，提升了器件的空穴注入效率。