Invention Publication
- Patent Title: 一种半导体结构中孔结构尺寸的量测方法
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Application No.: CN202311422622.9Application Date: 2023-10-27
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Publication No.: CN117373941APublication Date: 2024-01-09
- Inventor: 夏凯睿 , 谢冬 , 陈珍 , 汪松
- Applicant: 湖北江城实验室
- Applicant Address: 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- Assignee: 湖北江城实验室
- Current Assignee: 湖北江城实验室
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 牟宗美; 浦彩华
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66
Abstract:
公开了一种半导体结构中孔结构尺寸的量测方法，其中，半导体结构包括衬底，孔结构从衬底的上表面延伸至内部；量测方法包括：执行模塑溶液注入工艺，使模塑溶液完全填充孔结构并覆盖衬底的上表面；使模塑溶液固化以形成模塑结构，模塑结构包括位于孔结构内的柱状结构；执行剥离工艺，以使模塑结构和衬底分离；量测柱状结构的尺寸，并根据柱状结构的尺寸确定出孔结构的尺寸。
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IPC分类:
