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公开(公告)号：CN117976660B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410361538.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/66 , G01R31/26
Abstract: 公开了一种半导体结构及其热测试方法，半导体结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层，发热层内设置有第一导电层，感测层内设置有第二导电层，第一导电层包括第一输入端和第一输出端，第二导电层包括第二输入端和第二输出端；至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘，分立设置在堆叠结构的上表面；多个互连结构，在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸；其中，第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接，第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
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公开(公告)号：CN117976660A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410361538.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/66 , G01R31/26
Abstract: 公开了一种半导体结构及其热测试方法，半导体结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层，发热层内设置有第一导电层，感测层内设置有第二导电层，第一导电层包括第一输入端和第一输出端，第二导电层包括第二输入端和第二输出端；至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘，分立设置在堆叠结构的上表面；多个互连结构，在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸；其中，第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接，第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
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公开(公告)号：CN117371171A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311125674.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在一定测试温度下，向仿真模型的受力面施加不同方向的测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。
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公开(公告)号：CN116709787A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310643750.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
Abstract: 本申请涉及集成电路领域，公开了一种集成电路结构。集成电路结构包括：依次堆叠的第一逻辑芯片、第一存储芯片、第二存储芯片和第二逻辑芯片。其中，第一逻辑芯片，用于控制并直接访问第一存储芯片；第一存储芯片，用于存储动态数据；第二存储芯片，用于存储静态数据；第二存储芯片为相变存储器；第二逻辑芯片，用于控制并直接访问第二存储芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117371171B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311125674.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在一定测试温度下，向仿真模型的受力面施加不同方向的测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。
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公开(公告)号：CN117174660A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311131082.9
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括器件区以及合围所述器件区的密封环；所述密封环包括：多层链状金属环；所述链状金属环包括间隔交替排布的第一金属图案和第二金属图案；在所述链状金属环的任意一条边上，所述第一金属图案与所述第二金属图案均沿第一方向延伸，且所述第二金属图案沿所述第一方向延伸至所述第一金属图案的内部；所述第一金属图案与相邻的所述第二金属图案在垂直于所述第一方向的第二方向上的投影部分重叠；所述第一方向以及所述第二方向垂直于厚度方向；多个金属过孔，连接于相邻两层所述链状金属环之间。
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公开(公告)号：CN116613080A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310649974.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/492
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括：具有多个第一键合触点的第一键合层；合围多个第一键合触点的第一密封环；第一密封环贯穿至少部分第一键合层；第二半导体结构，包括：具有多个第二键合触点的第二键合层，具有多个第三键合触点的第三键合层；合围多个第二键合触点的第二密封环，第二密封环贯穿至少部分第二键合层；合围多个第三键合触点的第三密封环，第三密封环贯穿至少部分第三键合层；第三半导体结构，包括：具有多个第四键合触点的第四键合层；合围多个第四键合触点的第四密封环，第四密封环贯穿至少部分第四键合层；第一键合层与第二键合层键合；第三键合层与第四键合层键合。
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公开(公告)号：CN117210801A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311002994.6
申请日：2023-08-08
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: C23C16/52 , H01L21/02 , C23C16/505 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本公开实施例公开了一种晶圆弯曲度调整方法，包括：提供第一晶圆；通过调节等离子体增强化学气相沉积过程中的工艺参数，在所述第一晶圆上形成具有第一固定厚度以及第一弯曲度调节能力的第一材料层，使得所述第一晶圆的第一弯曲度的绝对值小于等于第一预设值得到具有第一弯曲度的第一晶圆。
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