本发明涉及基于GaN的发光二极管(1)，所述基于GaN的发光二极管(1)包括：基于n‑GaN的电子注入区(10)；基于p‑GaN的空穴注入区(11，11')；有源区，所述有源区位于电子注入区(10)与空穴注入区(11，11')之间，所述有源区被配置成发射光辐射；氢阻挡层(12)，所述发光二极管(1)的特征在于，所述空穴注入区(11，11')包括至少一个活化部分(11')和至少一个非活化部分(11”)，使得所述活化部分(11)具有为所述非活化部分(11”)的受体浓度的至少十倍大的受体浓度，并且所述至少一个非活化部分(11”)位于在电子注入区(10)与氢阻挡层(12)之间，使得所述氢阻挡层(12)阻止氢从非活化部分(11”)释放。本发明还涉及一种用于制造这种LED的方法。