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公开(公告)号：CN110168753B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201780081858.7
申请日：2017-12-28
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种制造光电器件(10)的方法，包括以下连续步骤：提供至少部分地由半导体材料制成并具有相对的第一和第二面的衬底；在第一面上形成半导体层(22，23，24)的堆叠(19)，堆叠(19)包括相对的第三面和第四面(20，21)，第四面(21)在衬底侧上，所述堆叠包括发光二极管(16)；从第二面侧在衬底中形成穿过开口(34)，所述开口与至少一部分发光二极管相对并限定衬底中的壁(30)；在与堆叠接触的至少一些开口中的第四面上形成导电垫(36)；以及在至少一些开口中形成光致发光块(38)。
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公开(公告)号：CN110168753A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780081858.7
申请日：2017-12-28
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种制造光电器件(10)的方法，包括以下连续步骤：提供至少部分地由半导体材料制成并具有相对的第一和第二面的衬底；在第一面上形成半导体层(22，23，24)的堆叠(19)，堆叠(19)包括相对的第三面和第四面(20，21)，第四面(21)在衬底侧上，所述堆叠包括发光二极管(16)；从第二面侧在衬底中形成穿过开口(34)，所述开口与至少一部分发光二极管相对并限定衬底中的壁(30)；在与堆叠接触的至少一些开口中的第四面上形成导电垫(36)；以及在至少一些开口中形成光致发光块(38)。
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公开(公告)号：CN117378053A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037339.1
申请日：2022-05-19
申请人： 艾利迪公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及基于GaN的发光二极管(1)，所述基于GaN的发光二极管(1)包括：基于n‑GaN的电子注入区(10)；基于p‑GaN的空穴注入区(11，11')；有源区，所述有源区位于电子注入区(10)与空穴注入区(11，11')之间，所述有源区被配置成发射光辐射；氢阻挡层(12)，所述发光二极管(1)的特征在于，所述空穴注入区(11，11')包括至少一个活化部分(11')和至少一个非活化部分(11”)，使得所述活化部分(11)具有为所述非活化部分(11”)的受体浓度的至少十倍大的受体浓度，并且所述至少一个非活化部分(11”)位于在电子注入区(10)与氢阻挡层(12)之间，使得所述氢阻挡层(12)阻止氢从非活化部分(11”)释放。本发明还涉及一种用于制造这种LED的方法。
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公开(公告)号：CN111788701A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880090490.5
申请日：2018-12-06
申请人： 艾利迪公司
摘要： 本发明涉及一种光电设备(10)，包括：主要由第一化学元素和第二化学元素制成的三维半导体元件(20)；有源区(24)，至少部分覆盖三维半导体元件(20)的侧壁，并且包括主要由第一和第二化学元素制成的至少一个第一层，和主要由第一和第二化学元素和第三化学元素制成的至少一个第二层的堆叠；第三层(26)，覆盖有源区，第三层主要由第一、第二、第三化学元素以及第四化学元素制成，随着到基板(12)的距离增加，第三层的第三和第四化学元素的质量比例增加或减少；第四层(28)，主要由第一和第二化学元素制成，并覆盖第三层(26)。
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