本发明属于氮化铝单晶生长技术领域，具体涉及一种B掺杂AlN单晶及制备方法。所述B掺杂AlN单晶的制备方法为：设计坩埚内部的温区分隔套筒；使得分隔套筒将坩埚底部划分为低温区和高温区；在分隔套筒内部低温区内放入氮化硼多晶颗粒料，分隔套筒外部高温区填充氮化铝原料，然后进行B掺杂AlN单晶的生长。采用本发明的方法，能够实现掺杂的B源与AlN原料同时进行升华，而不存在分层现象，从而使得B元素能够在AlN单晶内均匀分布，而不存在偏析或者掺杂元素富集现象，使得元素掺杂更加均匀，并且不会对单晶生长产生附加难度，通过控制B元素与Al元素的掺杂比获得了结晶质量高、掺杂均匀的B掺杂AlN单晶。