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公开(公告)号：CN119542120A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411710397.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 湖北九峰山实验室
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/322 , C30B25/02 , C30B29/38 , C30B31/22
Abstract: 本发明公开一种用于抑制Si基AlN外延片射频损耗的外延结构及其工艺，包括选取衬底、预生长非晶SiO2层、离子注入、退火、生长外延层；预生长非晶SiO2层为：通过热氧法在高阻Si表面预生长非晶SiO2层，完成热氧预生长的Si衬底进行离子注入。本发明通过向非晶SiO2/高阻Si衬底表面预注入H、He、C、N等离子，在非晶SiO2/Si衬底界面以下形成缺陷层和n型掺杂。形成的缺陷层不但能够通过弛豫AlN层外延生长过程中由于晶格失配和热失配所形成的张应力，减小应力形成的极化场，降低界面沟道的电导率，而且能够阻碍Al、Ga扩散，抑制AlN/Si界面附近p型寄生沟道的形成，从而最终达到降低射频损耗的目的。
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公开(公告)号：CN119372785A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411430656.7
申请日：2024-10-14
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种温场调控装置及单晶炉，该装置包括：坩埚、内反射屏和辅助侧反射屏，坩埚至少部分位于加热器内部，包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖内部用于设置籽晶，坩埚体包括上段、中段和下段，中段的内径大于上段和下段，中段包括与上段和下段内径一致的中间部和直径大于上段和下段的环形部，中间部和下段用于容纳原料；内反射屏设于环形部内，用于向远离坩埚体的方向反射热量；辅助侧反射屏设于坩埚外部，且支撑于中段上，辅助侧反射屏的顶端高于坩埚盖的顶端。该温场调控装置可以增大坩埚上段与下段之间的温度梯度，使得满足晶体生长的需要，提高晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN119301315A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380044300.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 久保田芳宏
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 提供了一种III族氮化物单晶基板的制造方法，该方法可以缩短器件的制造时间，并且可以抑制器件制造期间的裂纹和特性劣化。该III族氮化物单晶基板的制造方法包括执行以下：准备包括氮化物陶瓷的支承基板的支承基板准备步骤；在支承基板的上表面上设置平坦化层的平坦化层形成步骤；在平坦化层的上表面设置晶种层的晶种层形成步骤；在晶种层的上表面上外延生长目标III族氮化物单晶来形成复合基板的外延成膜步骤；和除去平坦化层和晶种层中的至少一者从而将由III族氮化物单晶制成的III族氮化物单晶基板与复合基板的剩余部分分离的分离步骤。
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公开(公告)号：CN119213161A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380037699.6
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 池田雅延
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01L33/32
Abstract: 本发明的氮化镓的成膜方法包括：按照与真空腔室内的含有氮及镓的靶对置的方式配置基板，将基板加热，向真空腔室中供给溅射气体，向真空腔室中供给氮自由基及氢自由基，对靶施加电压而生成溅射气体的等离子体，使通过从靶的镓放出的镓与氮自由基的再结合反应而生成的氮化镓及通过由靶的镓生成的镓阳离子与由氮自由基生成的氮阴离子的再结合反应而生成的氮化镓沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN114725258B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202210368196.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 江西兆驰半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED外延片及其制备方法，LED外延片包括衬底、以及依次生长于衬底之上的低温缓冲层、三维生长层、二维生长层及GaN层，二维生长层包括依次生长的第一子层、第二子层以及第三子层；其中，第一子层为AlGaN层和BGaN层重复交叠组成的周期性复合层，第二子层为生长停顿层，第三子层为BN层和SiN层重复交叠生长组成的周期性复合层。本发明通过对二维生长层进行特殊设计，采用复合型二维生长层，有利于得到表面平整度更高、位错密度更小、同时抗静电能力更好、延伸到量子阱的缺陷少、发光强度提升的LED外延片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119092606A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411183479.7
申请日：2024-08-27
Applicant: 江苏第三代半导体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用。复合插入层结构包括：至少一个复合插入层单元，所述复合插入层单元包括沿选定方向依次层叠的第一AlN层、第一SiN层、第二AlN层和第二SiN层，其中，所述第一AlN层、所述第一SiN层和所述第二AlN层形成的叠层结构层的内部具有交杂分布的多个AlN微结构和多个SiN微结构。本发明降低了外延片中发光层的应力，增强了发光层内的辐射复合效率，提高了LED外延片的亮度。
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公开(公告)号：CN119053732A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380036498.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 一种n型GaN基板，其具有两个主面，所述n型GaN基板掺杂有Ge，载流子浓度的平均值为1×1018cm‑3以上，在至少一个主面上从中心起半径15mm的圆区域内均匀地取测定点来测定载流子浓度时，满足选自由（1）～（3）构成的组中的至少一个，这样的n型GaN基板具有高载流子浓度，且面内的载流子浓度分布均匀：（1）经过上述中心的0度、45度、90度、135度方向的直线上的测定点处的测定值的标准差/平均值为0.25以下；（2）载流子浓度为2×1018cm‑3以上的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为90%以上；（3）示出全部测定点处的测定值中的最大值的（A）60%以下/（B）50%以下/（C）40%以下的值的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为（A）10%以下/（B）9%以下/（C）8%以下。
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公开(公告)号：CN111286781B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201911239070.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)，在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时，由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上，该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
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