本申请提供了一种半导体器件以及其测试方法，其中，该半导体器件包括：器件结构，包括MOS器件，MOS器件包括器件有源区和器件金属硅化物，器件金属硅化物位于器件有源区；测试结构，包括测试器件，测试器件包括多个测试栅极、至少一个测试有源区和至少一个测试金属硅化物，多个测试栅极间隔排列，测试有源区位于两个测试栅极之间，测试金属硅化物一一对应地位于有源区，其中，器件金属硅化物和测试金属硅化物为通过同一步骤形成的。本申请解决了现有技术中无法有效监控线上半导体器件是否漏电的问题。