半导体器件以及其测试方法

    公开(公告)号:CN117393543A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311689967.0

    申请日:2023-12-11

    摘要: 本申请提供了一种半导体器件以及其测试方法,其中,该半导体器件包括:器件结构,包括MOS器件,MOS器件包括器件有源区和器件金属硅化物,器件金属硅化物位于器件有源区;测试结构,包括测试器件,测试器件包括多个测试栅极、至少一个测试有源区和至少一个测试金属硅化物,多个测试栅极间隔排列,测试有源区位于两个测试栅极之间,测试金属硅化物一一对应地位于有源区,其中,器件金属硅化物和测试金属硅化物为通过同一步骤形成的。本申请解决了现有技术中无法有效监控线上半导体器件是否漏电的问题。

    一种电子显微镜及其工作方法

    公开(公告)号:CN116168996B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310443114.2

    申请日:2023-04-24

    摘要: 本发明公开了一种电子显微镜及其工作方法,所述工作方法包括以下步骤:在待测芯片上设置目标区域和聚针区域,其中,目标区域和聚针区域邻近;获取针体的针尖部与聚针区域的距离,并作为下针距离;在目标区域上设置下针区域,将针体移动到下针区域上,并按照下针距离移动针体,使针尖部接触下针区域的表面;多次移动针座的位置,且每次移动针座后,获取针体的多个点针图像;对比多个点针图像,获取针体的针体摆动幅度;以及设置摆动幅度阈值,当针体摆动幅度小于或等于摆动幅度阈值,通过针体对目标区域进行电性量测。本发明提供了一种电子显微镜及其工作方法,能不损伤芯片并提升芯片电性量测的准确性。

    半导体器件以及其测试方法

    公开(公告)号:CN117393543B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311689967.0

    申请日:2023-12-11

    摘要: 本申请提供了一种半导体器件以及其测试方法,其中,该半导体器件包括:器件结构,包括MOS器件,MOS器件包括器件有源区和器件金属硅化物,器件金属硅化物位于器件有源区;测试结构,包括测试器件,测试器件包括多个测试栅极、至少一个测试有源区和至少一个测试金属硅化物,多个测试栅极间隔排列,测试有源区位于两个测试栅极之间,测试金属硅化物一一对应地位于有源区,其中,器件金属硅化物和测试金属硅化物为通过同一步骤形成的。本申请解决了现有技术中无法有效监控线上半导体器件是否漏电的问题。

    一种电子显微镜及其工作方法

    公开(公告)号:CN116168996A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310443114.2

    申请日:2023-04-24

    摘要: 本发明公开了一种电子显微镜及其工作方法,所述工作方法包括以下步骤:在待测芯片上设置目标区域和聚针区域,其中,目标区域和聚针区域邻近;获取针体的针尖部与聚针区域的距离,并作为下针距离;在目标区域上设置下针区域,将针体移动到下针区域上,并按照下针距离移动针体,使针尖部接触下针区域的表面;多次移动针座的位置,且每次移动针座后,获取针体的多个点针图像;对比多个点针图像,获取针体的针体摆动幅度;以及设置摆动幅度阈值,当针体摆动幅度小于或等于摆动幅度阈值,通过针体对目标区域进行电性量测。本发明提供了一种电子显微镜及其工作方法,能不损伤芯片并提升芯片电性量测的准确性。