本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料，干燥后进行压制，形成混合料坯体；(2)将坯体在真空下升温至1000℃并保温1小时；然后升温至1500～1700℃并保温3小时；然后升温至1900℃并保温2小时；降温至室温即得高纯碳化硅粉体。本发明的制备方法采用酚醛树脂材质球磨罐、研磨球和干压模具进行湿法混料和干压成型工艺，采用1900℃烧结，可促使生成的β‑SiC转变为α‑SiC，降低残碳量，残余硅将以硅蒸汽形式挥发以提高反应生成碳化硅纯度。利用本发明的方法制得的碳化硅粉体，纯度99.999％以上，完全满足碳化硅单晶生长需要，可实现大规模生产。