公开(公告)号：CN117383941A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311436478.4

申请日：2023-11-01

申请人： 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队

发明人： 梁利东 ,  白建光 ,  黄瑞 ,  欧毅 ,  刘雷 ,  宋海龙 ,  韩茂武 ,  肖立雁 ,  杨杰 ,  曹亮 ,  张庚 ,  徐海锋

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C01B32/956

摘要： 本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备工艺，包括以下步骤：(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料，干燥后进行压制，形成坯体；(2)将两个坯体上下叠加放置于电磁感应炉的石墨坩埚中，真空下升温至1450℃并保温2小时，然后升温至1600℃并保温2小时，然后升温至2050～2250℃并保温2小时；降温至室温即得。本发明的制备工艺，两个坯体上下叠加，利用重烧结时坩埚内部温度梯度分布，底部碳化硅分解产生大量Si穿越上部叠加样品，减少上部样品残碳量，增加上部样品SiC生成量。利用本发明的工艺制得的高纯碳化硅粉体，纯度高于99.999％，完全满足碳化硅单晶生长要求和电子陶瓷原料使用级别要求。

公开(公告)号：CN117401980A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311379227.7

申请日：2023-10-24

申请人： 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队

发明人： 梁利东 ,  白建光 ,  黄瑞 ,  欧毅 ,  刘雷 ,  宋海龙 ,  韩茂武 ,  肖立雁 ,  杨杰 ,  张庚 ,  梁旺东

IPC分类号： C04B35/573 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料，干燥后进行压制，形成混合料坯体；(2)将坯体在真空下升温至1000℃并保温1小时；然后升温至1500～1700℃并保温3小时；然后升温至1900℃并保温2小时；降温至室温即得高纯碳化硅粉体。本发明的制备方法采用酚醛树脂材质球磨罐、研磨球和干压模具进行湿法混料和干压成型工艺，采用1900℃烧结，可促使生成的β‑SiC转变为α‑SiC，降低残碳量，残余硅将以硅蒸汽形式挥发以提高反应生成碳化硅纯度。利用本发明的方法制得的碳化硅粉体，纯度99.999％以上，完全满足碳化硅单晶生长需要，可实现大规模生产。

公开(公告)号：CN118475002A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410491082.8

申请日：2024-04-23

申请人： 中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队

发明人： 梁利东 ,  白建光 ,  黄瑞 ,  刘雷 ,  欧毅 ,  陈世伟 ,  张庚 ,  韩茂武 ,  肖立雁 ,  曹亮

IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K1/02

摘要： 本发明公开一种定向结构Si3N4/Al电子封装基片制备方法，包括如下步骤：(1)在硅质基片坯体的轴向方向进行定向打孔，然后依次进行氮化、烧结处理，完成后得到具有定向孔的Si3N4基片，该定向孔贯穿基片的轴向。(2)将所述Si3N4基片的定向孔中置入铝质金属丝进行填充，然后加热进行真空熔渗处理，即得所述定向结构Si3N4/Al电子封装基片。本发明通过在基片坯体的轴向方向进行定向打孔后再将其制备成具有轴向定向孔的基片，然后在其中置入铝质金属丝进行熔渗处理，从而使所述定向孔被铝质金属丝填充，由于铝质金属丝具有高导热特点，且在定向孔的作用下可进行定向导热，使本发明制备的基片具有径向低导热系数、轴向高导热系数的特点。