发明公开
- 专利标题： 一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法
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申请号： CN202311358221.1申请日： 2023-10-19
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公开(公告)号： CN117430427A公开(公告)日： 2024-01-23
- 发明人: 李达鑫 , 林海龙 , 齐鹏 , 高晨光 , 林坤鹏 , 张祎 , 杨治华 , 贾德昌 , 周玉
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- 代理商 侯静
- 主分类号： C04B35/584
- IPC分类号： C04B35/584 ; C04B35/5835 ; C04B35/622 ; C04B35/64
摘要：
一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，它涉及SiBCN复相陶瓷的制备方法。本发明要解决现有SiBCN陶瓷难以制备得到致密的块体陶瓷，且其介电常数和介电损耗相对较高的问题。方法：一、浆料制备；二、先驱体浆料固化；三、陶瓷热解；四、热处理。本发明用于耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备。
IPC分类:
