发明公开
- 专利标题: 用于制造功率半导体元件的方法
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申请号: CN202280040524.6申请日: 2022-06-10
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公开(公告)号: CN117461124A公开(公告)日: 2024-01-26
- 发明人: 黄喆周
- 申请人: 周星工程股份有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人: 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李旭; 姚鹏
- 优先权: 10-2021-0076037 2021.06.11 KR
- 国际申请: PCT/KR2022/008227 2022.06.10
- 国际公布: WO2022/260478 KO 2022.12.15
- 进入国家日期: 2023-12-06
- 主分类号: H01L21/8238
- IPC分类号: H01L21/8238 ; H01L21/02 ; H01L29/66
摘要:
根据本发明实施例的主动层形成步骤包括如下步骤:制备包含第一区域及第二区域的碳化硅基板;将混合有一第一掺杂气体的源气体、清理气体、反应气体及清理气体依序地喷射至该碳化硅基板的该第一区域上以形成该第一主动层;以及将混合有一第二掺杂气体的源气体、清理气体、反应气体及清理气体依序地喷射至该碳化硅基板的该第二区域上以形成该第二主动层。因此,根据本发明的实施例,能在低温下形成主动层。因此,可避免基板或形成在基板上的薄膜因高温热而受损。此外,可节省用于加热基板以形成主动层所需的电力或时间,且整体的制程时间可被缩短。