- 专利标题: 离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法
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申请号: CN202311456780.6申请日: 2023-11-03
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公开(公告)号: CN117468096B公开(公告)日: 2024-05-31
- 发明人: 田浩 , 金昕宇 , 谭鹏 , 孟祥达 , 王宇
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 北京领果世纪知识产权代理有限公司
- 代理商 赵爱婷
- 主分类号: C30B33/00
- IPC分类号: C30B33/00
摘要:
本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置,属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域,包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源;极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上,离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内,离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置,扩束准直器与光强调节件相对设置,光强调节件与激光光源相对设置,同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法,使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。
公开/授权文献
- CN117468096A 离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法 公开/授权日:2024-01-30