本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外延层可以是硅、锗或硅锗合金的一种或者叠层，或根据需要掺入碳、锡、铅等杂质；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。本发明可以有效反射未被吸收层完全吸收的入射光加以回收利用，能够增加探测器的响应度和灵敏度；通过金属层连接固定电位来控制硅层悬浮区域的电位，减少了对探测器行为的干扰。