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公开(公告)号：CN115793413B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211653787.2
申请日：2022-12-22
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：对位标志设置：在第一光学掩膜版上设置n组对位标志，在衬底上设置与所述对位标志相对应的对位标志层，其中n≥2；第一次光刻：在所述衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，使用所述第一光学掩膜版的n组对位标志分别与所述衬底进行对位并曝光，再对所述衬底进行显影；第二次光刻：在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到超分辨率孔图案。本发明可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。
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公开(公告)号：CN118112828A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410533995.1
申请日：2024-04-30
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种磁光效应驱动的非易失性光开关及其制备方法，该非易失性开关包括SOI衬底和钆镓石榴石衬底；所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；所述钆镓石榴石衬底上生长有铈掺杂的钇铁石榴石铁氧体；所述埋氧层通过刻蚀形成两个并列的凹槽，所述顶层硅通过刻蚀形成硅波导；每个凹槽内部设有导电金属层，所述导电金属层上表面包括CoFeB阵列；所述钆镓石榴石衬底下表面键合在硅波导上表面。本发明成功规避了由于晶相差异以及生长温度过高导致的无法将高质量的Ce:YIG材料与硅光集成光路实现单片集成的问题，从而提供了在硅基上实现非易失性光开关的一种技术方案。
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公开(公告)号：CN116540356B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310307872.1
申请日：2023-03-27
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在光刻胶的保护下，在LNOI晶圆上的单晶LiNbO3薄膜层刻蚀出LiNbO3光波导；S2：在光刻胶的保护下，在InP晶圆上制备出InP纳米束绝热锥体，所述InP纳米束绝热锥体内嵌有InAs量子点，且所述InP纳米束绝热锥体的尾部为由通孔阵列组成的布拉格反射结构；S3：通过聚焦离子束FIB的方法，将InP纳米束绝热锥体与衬底链接切断，并用纳米针吸附并转移InP纳米束绝热锥体，通过分子间作用力与LiNbO3光波导贴合。本发明制备方法通过InP纳米束绝热锥体的设计，可以将发射到纳米束中的单光子高效地传输到铌酸锂波导，从而解决薄膜铌酸锂光芯片缺少单光子发射器的问题。
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公开(公告)号：CN116560116B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310065973.2
申请日：2023-01-12
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列，该热光移相器阵列包括若干个热光移相器构成的阵列通道；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组加热电阻的阻值和相等，每一组加热电阻通过金属电极并联。本发明通过采用两两加热电阻串联的方式，使每一组加热电阻的阻值和相等，组与组之间采用并联的方式互连，只需要控制一个输入电压即可实现移相器阵列相邻通道间的相位差的控制，且避免了特大电阻的出现。
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公开(公告)号：CN116299854B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310121948.1
申请日：2023-02-15
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。
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公开(公告)号：CN117092752A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311036275.6
申请日：2023-08-16
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种锗波导的制备方法，包括:S1、在硅衬底上外延生长锗，再在锗上沉积掩膜层，并图形化光阻掩膜；S2、干法蚀刻掩膜层，并去除光阻掩膜；S3、对锗进行蚀刻，整个表面形成一层氯化锗聚合物；S4、采用包含氟和氧的自由基去除氯化锗聚合物，并采用稀氢氟酸溶液清洗；S5、去除掩膜层，形成锗波导。本发明通过在锗波导刻蚀阶段控制聚合物的生成以及刻蚀后灰化过程中的特殊处理，后续通过现有常规的DHF清洗就可以去除反应副产物，不需采购新设备新材料，降低了成本，同时扩展现有工艺能力。
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公开(公告)号：CN116666500B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310905213.8
申请日：2023-07-24
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/105
摘要： 本发明提供锗光电探测器及通过热失配应力提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，在单晶硅衬底上高温外延生长单晶锗层，然后沉积硅帽层，所述硅帽层厚度为0.5‑5微米，自然冷却到室温下，去除硅帽层后，再制成探测器。从高温下降到室温时锗因热膨胀系数大收缩较多而产生水平拉伸应力，其中，覆盖硅帽层的锗因衬底和帽层的双重拉伸而具有更大应力；室温下去掉硅帽层，原硅帽层贡献的应力被部分保留：即与锗层降温这一自退火过程产生的不可恢复的塑性形变相联系的这部分应力被保留，不随硅帽层去除而释放；而与可恢复的弹性形变相联系的这部分应力将随硅帽层去除而释放。因此曾经沉积硅帽层的锗层具有更大的拉伸引力。
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公开(公告)号：CN116841059A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310916213.8
申请日：2023-07-25
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法，包括硅基二硫化钼异质结结构，所述硅基二硫化钼异质结结构从下至上依次包括Si衬底、第一SiO2层、MoS2层和第二SiO2层，第二SiO2层中设置有加热电极，所述加热电极上方设置有接触电极。制备方法为从下至上在Si衬底上沉积MoS2层、SiO2层、加热电极层，随后刻蚀出加热电极，再在加热电极周围填充SiO2层，在填充的SiO2层上刻蚀出金属接触电极的填充孔，在填充孔内沉积金属接触电极。本申请的调制器使用加热电极对MoS2层进行加热，进而对穿过调制器的太赫兹波进行调制，结构简单，加热迅速，调制效率高。
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公开(公告)号：CN117706685B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410166404.1
申请日：2024-02-06
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法，包括：步骤1、提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；步骤2、在所述顶层硅表面依次形成第一氧化硅层和硬掩模层；步骤3、光刻和干法刻蚀所述顶层硅形成硅光波导；步骤4、在硬掩模层保护下对硅光波导进行氧化生成第二氧化硅层；步骤5、依次去除第二氧化硅层、硬掩模层和第一氧化硅层；步骤6、沉积第三氧化硅层；步骤7、将第三氧化硅层抛光至表面平整。本发明避免了硅光波导高度方向上的氧化平滑损耗，解决了硅光波导的边角圆化问题，所采用的结构和工艺简单，成本增加少。
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公开(公告)号：CN115951450B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211709516.4
申请日：2022-12-29
申请人： 上海铭锟半导体有限公司
IPC分类号： G02B6/13 , G02B6/136 , G02B6/132 , H01L21/3105
摘要： 本发明提供一种大马士革氮化硅波导化学机械抛光方法，主要涉及集成光电技术领域，在沉积氮化硅步骤后进行反向刻蚀，去除大部分非波导区域氮化硅；然后生长一层保护衬底氧化硅的保护层；再进行正向光刻、正向刻蚀保护层、化学机械抛光、去除保护层、退火和沉积包层。反向刻蚀去除大部分非波导位置的氮化硅膜层，减小化学机械抛光工艺所需的时间。保护层可以保护衬底SiO2，减小SiN膜层的损耗，给CMP工艺一个相对较宽的时间范围，因此可以降低工艺难度，提升稳定性，良率也是提升的。
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