本发明提供一种封装结构及其形成方法，该形成方法先在厚度较薄的第一芯粒的背面设置初始补偿层，对第一芯粒进行厚度补偿，使得所形成的芯粒单元的背面至基板表面的距离与第二芯粒的第二背面至基板表面的距离之差在设定范围内，在塑封步骤之后的减薄步骤中，第一芯粒所在的芯粒单元与第二芯粒基本在同一高度处被同时减薄，两者同时受到磨削装置的横切力，克服了在减薄初始阶段高度较高的芯粒先承受横切力的问题，提高了封装结构的可靠性；且在执行塑封、减薄等工艺过程中无需额外对第一芯粒或第二芯粒设置不同的工艺参数，使得工艺过程中工艺参数的设定简单便捷，降低了工艺复杂度，有利于封装结构的推广应用。