公开(公告)号：CN118156156A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410233661.2

申请日：2024-03-01

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 赵强 ,  刘涛 ,  王长文

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

摘要： 本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：封装基板；封装体，位于所述封装基板上，所述封装体包括塑封层、第一重布线层、位于所述第一重布线层背离所述封装基板一侧的功能芯片和位于所述第一重布线层朝向所述封装基板一侧的桥接芯片，所述功能芯片和所述桥接芯片均与所述第一重布线层电连接，所述桥接芯片与所述封装基板电连接，所述塑封层至少包覆所述功能芯片和所述桥接芯片。本发明缩短了功能芯片与桥接芯片之间的连接距离，确保了封装结构内信号传输的完整性，并有助于缩小封装基板的尺寸和降低封装基板设计的复杂性。

公开(公告)号：CN109411597B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201811330481.7

申请日：2018-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  张黎 ,  柳国恒 ,  张憬 ,  赵强 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H10N30/88 ,  H10N30/02 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括声表面波滤波器芯片、金属连接块、多层金属再布线层、包封料层和金属块/层，所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围，并与多层金属再布线层固连，所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层金属再布线层之上的金属块/层倒装连接，并将其电信号向下传导；用包封材料包裹金属块/层，在所述多层金属再布线层上形成包封料层；采用膜片状的包封膜，经层压工艺，将所述声表面波滤波器芯片包封，并在包封料层的上方、声表面波滤波器芯片的下方形成空腔，所述芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。

公开(公告)号：CN117497430A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202311845004.5

申请日：2023-12-29

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  刘涛 ,  赵强

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本发明提供一种封装结构及其形成方法，该形成方法先在厚度较薄的第一芯粒的背面设置初始补偿层，对第一芯粒进行厚度补偿，使得所形成的芯粒单元的背面至基板表面的距离与第二芯粒的第二背面至基板表面的距离之差在设定范围内，在塑封步骤之后的减薄步骤中，第一芯粒所在的芯粒单元与第二芯粒基本在同一高度处被同时减薄，两者同时受到磨削装置的横切力，克服了在减薄初始阶段高度较高的芯粒先承受横切力的问题，提高了封装结构的可靠性；且在执行塑封、减薄等工艺过程中无需额外对第一芯粒或第二芯粒设置不同的工艺参数，使得工艺过程中工艺参数的设定简单便捷，降低了工艺复杂度，有利于封装结构的推广应用。

公开(公告)号：CN116525474A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310626087.2

申请日：2023-05-30

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  王长文 ,  刘昊宇

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538

摘要： 一种封装结构的形成方法包括：提供转接板，转接板包括第一重布线层，第一重布线层包括第一组导电衬垫及第二组导电衬垫；提供器件基板，器件基板包括无源器件层及覆盖无源器件层的第二重布线层，无源器件层包括至少一无源器件，第二重布线层包括第三组导电衬垫及第四组导电衬垫，第三组导电衬垫的另一端与无源器件电连接；以第一重布线层的第一表面及第二重布线层的第一表面为键合面，采用混合键合工艺将转接板与器件基板键合；自器件基板背离转接板的表面去除部分无源器件层，以暴露出第四组导电衬垫；在器件基板背离转接板的表面设置至少一芯片，芯片与第四组导电衬垫电连接。该方法直接在转接板内部或者表层集成无源器件，提高了工艺兼容性。

公开(公告)号：CN115296641A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210784613.3

申请日：2022-06-29

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 胡震 ,  刘昊宇 ,  陈海杰

IPC分类号： H03H9/10 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/54 ,  H03H9/64

摘要： 本发明提供一种滤波器封装结构及制备方法，滤波器封装结构包括：滤波器芯片，所述滤波器芯片具有谐振区、位于所述谐振区以外的非谐振区，形成所述滤波器芯片的器件晶圆为减薄后的器件晶圆；盖帽层，位于所述滤波器芯片的正面；第一键合层，所述第一键合层连接于所述滤波器芯片与所述盖帽层之间，且所述第一键合层在所述非谐振区形成闭合环形，所述第一键合层与所述盖帽层围设形成位于所述谐振区的第一空腔；支撑晶圆，支承于所述滤波器芯片的背面；能够有效改善超薄的所述滤波器芯片的稳定性，从而，可以将所述滤波器芯片的厚度减薄至性能最好的尺寸厚度，提高所述滤波器封装结构的性能。

公开(公告)号：CN112382629A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011632856.2

申请日：2020-12-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈海杰 ,  王金峰 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  谢皆雷

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

摘要： 本发明涉及一种堆叠晶圆结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C2、承载晶圆A1、电气连接层（150），所述晶圆堆叠体C2设置于承载晶圆A1上方并通过电气连接层（150）连接，所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆，从下而上，所述晶圆尺寸逐渐减小，其四周形成阶梯状的侧壁，于承载晶圆A1上方，所述晶圆堆叠体C2的正面及其阶梯状的侧壁涂覆介电层Ⅲ（300）并形成介电层Ⅲ开口（301），所述介电层Ⅲ开口（301）上内设置金属种子层（310）和金属凸块（360），所述金属凸块（360）与相邻的晶圆的金属互联层（120）通过金属种子层（310）连接。本发明提供了多层堆叠晶圆结构及其制作方法。

公开(公告)号：CN111370388A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010316008.4

申请日：2020-04-21

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  成炎炎 ,  胡震 ,  陈锦辉 ,  张国栋

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其芯片本体(100)的有源表面和芯片电极(101)的上表面设置有保护层(200)，所述保护层(200)在芯片电极(101)上方开设保护层开口(201)，所述保护层开口(201)内设置金属凸块(300)，所述金属凸块(300)通过保护层开口(201)与芯片电极(101)连接；所述芯片本体(100)的背面依次设置有粘附层(601)、种子层(602)，所述粘附层(601)覆盖芯片本体(100)的背面；所述种子层(602)的下表面依次设置背金块(600)和石墨烯层（610），所述包覆层(700)包覆背金块(600)裸露面，并向上延展至粘附层(601)的下表面的四周边缘。本发明能够有效地克服晶圆翘曲及碎片、降低划片难度、解决封装成品产生的翘曲及碎裂等问题。

公开(公告)号：CN106531700B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201611107747.2

申请日：2016-12-06

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  徐虹 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  赖志明 ,  陈启才

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

摘要： 本发明涉及一种芯片封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体和芯片电极，所述硅基本体的正面设置钝化层并开设钝化层开口，所述芯片电极由背面嵌入于硅基本体的正面，所述钝化层开口露出芯片电极的正面，所述钝化层的上表面设置介电层并开设介电层开口，所述芯片电极的正面设置金属凸块结构；所述硅基本体的侧壁和背面设置包封层。本发明提供了一种侧壁绝缘保护、不易漏电或短路、提高可靠性、改善芯片贴装良率的芯片封装结构，本发明的封装方法采用在晶圆背面设置沟槽，将晶圆分割成芯片单体，并实施芯片单体四周和背面保护技术，这种方法避免了晶圆重构，对于较小芯片来说，有效地提高了产能，进一步降低成本。

公开(公告)号：CN109411597A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811330481.7

申请日：2018-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  张黎 ,  柳国恒 ,  张憬 ,  赵强 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/23 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其包括声表面波滤波器芯片、金属连接块、多层金属再布线层、包封料层和金属块/层，所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围，并与多层金属再布线层固连，所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层金属再布线层之上的金属块/层倒装连接，并将其电信号向下传导；用包封材料包裹金属块/层，在所述多层金属再布线层上形成包封料层；采用膜片状的包封膜，经层压工艺，将所述声表面波滤波器芯片包封，并在包封料层的上方、声表面波滤波器芯片的下方形成空腔，所述芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。

公开(公告)号：CN109244231A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811331085.6

申请日：2018-11-09

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  张黎 ,  柳国恒 ,  张憬 ,  赵强 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/23 ,  H01L23/498

摘要： 本发明公开了一种声表面滤波芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括正面设有芯片功能区的声表面波滤波器芯片、金属连接块、多层再布线层、金属块Ⅰ、金属挡环和包封层，所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围，所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层再布线层多点倒装连接，将声表面波滤波器芯片的电信号向下传导；所述金属挡环设置在金属连接块和金属块Ⅰ的外围的多层再布线层的上表面，呈围墙状，所述包封层在多层再布线层的上方、声表面波滤波器芯片的下方、金属挡环的内侧形成空腔，将所述芯片功能区置于空腔内。本发明降低了制作时的工艺难度，提高了声表面波滤波器的成品率。