发明公开
- 专利标题: 一种离子注入掺杂方法及器件
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申请号: CN202311584916.1申请日: 2023-11-24
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公开(公告)号: CN117529196A公开(公告)日: 2024-02-06
- 发明人: 项兰义 , 张凤娇 , 刘力瑶 , 狄重安
- 申请人: 中国科学院大学
- 申请人地址: 北京市怀柔区雁栖湖东路1号
- 专利权人: 中国科学院大学
- 当前专利权人: 中国科学院大学
- 当前专利权人地址: 北京市怀柔区雁栖湖东路1号
- 代理机构: 北京希夷微知识产权代理事务所
- 代理商 张乾桢
- 主分类号: H10K71/13
- IPC分类号: H10K71/13 ; H10K71/16 ; H10K10/46
摘要:
本发明提供一种离子注入掺杂方法及器件,所述方法包括如下步骤:S1:提供衬底;S2:在所述衬底上形成第二对电极;S3:在所述衬底上形成有机半导体层;S4:在所述有机半导体层上形成电解质绝缘层,所述电解质绝缘层包括绝缘聚合物和离子盐的混合物;S5:提供第一对电极,在所述第一对电极和所述第二对电极之间施加电压,所述第一对电极包括纳米探针,所述纳米探针尖端半径为1‑1000nm;S6:去除所述电解质绝缘层。通过电解质绝缘层和纳米探针对电极共同促进电解质绝缘层内的局域化电场分布,进而实现可控分辨率的电化学离子注入掺杂。