本发明涉及电子封装焊接技术领域，具体公开一种Ag‑Cu基活性钎料及其生产方法和应用。其成分重量百分比为：Cu 19%~24%，Sn 10%~18%，Si 1%~3%，Ti 5%~10%，Si3N4 0.5%~2%，余量为Ag。采用机械合金化法制备上述钎料。本发明可以实现氮化硅陶瓷与金属铜的有效连接，接头组织均匀细小，没有裂纹、气孔等缺陷，焊接残余应力和焊接温度得到有效降低，在钎焊温度740℃~780℃保温10min~30min时得到的剥离强度可达15N/mm以上，且复合钎料制备及钎焊过程简单高效，便于批量生产，提高了陶瓷与金属钎焊连接的推广应用。