-
公开(公告)号:CN117532198A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202410027432.5
申请日:2024-01-09
申请人: 河北省科学院能源研究所
摘要: 本发明涉及电子封装焊接技术领域,具体公开一种Ag‑Cu基活性钎料及其生产方法和应用。其成分重量百分比为:Cu 19%~24%,Sn 10%~18%,Si 1%~3%,Ti 5%~10%,Si3N4 0.5%~2%,余量为Ag。采用机械合金化法制备上述钎料。本发明可以实现氮化硅陶瓷与金属铜的有效连接,接头组织均匀细小,没有裂纹、气孔等缺陷,焊接残余应力和焊接温度得到有效降低,在钎焊温度740℃~780℃保温10min~30min时得到的剥离强度可达15N/mm以上,且复合钎料制备及钎焊过程简单高效,便于批量生产,提高了陶瓷与金属钎焊连接的推广应用。
-
公开(公告)号:CN117532198B
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202410027432.5
申请日:2024-01-09
申请人: 河北省科学院能源研究所
摘要: 本发明涉及电子封装焊接技术领域,具体公开一种Ag‑Cu基活性钎料及其生产方法和应用。其成分重量百分比为:Cu 19%~24%,Sn 10%~18%,Si 1%~3%,Ti 5%~10%,Si3N4 0.5%~2%,余量为Ag。采用机械合金化法制备上述钎料。本发明可以实现氮化硅陶瓷与金属铜的有效连接,接头组织均匀细小,没有裂纹、气孔等缺陷,焊接残余应力和焊接温度得到有效降低,在钎焊温度740℃~780℃保温10min~30min时得到的剥离强度可达15N/mm以上,且复合钎料制备及钎焊过程简单高效,便于批量生产,提高了陶瓷与金属钎焊连接的推广应用。
-