本发明公开了纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法。所述芯片从下到上依次包括第二芯片、胶键合层、第一芯片和钝化层；第一芯片和第二芯片包括衬底、LED发光层和透明导电层；LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层。刻蚀表面至第二芯片透明导电层，再次刻蚀表面至第一芯片的N型GaN层，形成阶梯状台面结构，沉积钝化层并开孔，沉积金属电极将第一芯片N型GaN层和第二芯片透明导电层相连，实现两个芯片电气连接。刻蚀另一侧表面至第二芯片N型GaN层，沉积钝化层并开孔，沉积金属形成N电极。本发明将两个Micro LED芯片通过纵列堆叠的方式，使其能够承受更高的工作电压。