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公开(公告)号：CN117253955A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311115996.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED显示芯片及其制备方法。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连，形成串联结构。该芯片从上至下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层和氧化物支撑层。本发明通过将两个Micro LED芯片组成串联结构，使其能够承受更高的工作电压。剥离蓝宝石衬底后，以氧化物支撑层支撑两个Micro LED芯片，能够避免两个芯片发生断裂，有利于后续与驱动基板的键合。
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公开(公告)号：CN117542845A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311242520.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/00 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了纵列堆叠的高压Micro LED芯片及其制作方法。所述芯片从下到上依次包括第二芯片、胶键合层、第一芯片和钝化层；第一芯片和第二芯片包括衬底、LED发光层和透明导电层；LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层。刻蚀表面至第二芯片透明导电层，再次刻蚀表面至第一芯片的N型GaN层，形成阶梯状台面结构，沉积钝化层并开孔，沉积金属电极将第一芯片N型GaN层和第二芯片透明导电层相连，实现两个芯片电气连接。刻蚀另一侧表面至第二芯片N型GaN层，沉积钝化层并开孔，沉积金属形成N电极。本发明将两个Micro LED芯片通过纵列堆叠的方式，使其能够承受更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN117253956A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311115997.0
申请日：2023-08-31
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/48 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了多层膜结构的Micro LED显示芯片及其制备方法。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。该芯片从上到下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜、氧化物支撑层。本发明通过将两个Micro LED芯片串联，从而能够承受更高的工作电压，以氧化物支撑层支撑两个Micro LED芯片。P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜和氧化物支撑层构成多层膜结构，增加光透过率，提升出光效率。
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公开(公告)号：CN117542844A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311242519.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L25/075 , H01L25/00 , H01L33/00 , H01L33/62
Abstract: 本发明提供了一种高压Micro LED芯片及其制备方法。所述高压Micro LED芯片结构包括第一芯片、第二芯片和金属导电柱；第一芯片和第二芯片上下垂直分布，包括衬底、Micro LED发光层和透明导电层，其中第一芯片的衬底在制备过程中被剥离；Micro LED发光层包括N型GaN层、多量子阱和P型GaN层；第一芯片和第二芯片中间由绝缘层隔开，金属导电柱位于绝缘层中，将第一芯片的N型GaN层与第二芯片的透明导电层相连，实现两个Micro LED芯片的电气连接。本发明将两个Micro LED芯片通过垂直堆叠的方式，使其能够承受更高的工作电压，进一步提升了其应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220796782U
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202322361641.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本实用新型公开了一种Micro LED显示芯片。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连，形成串联结构。该芯片从上至下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层和氧化物支撑层。本实用新型通过将两个Micro LED芯片组成串联结构，使其能够承受更高的工作电压。以氧化物支撑层支撑两个Micro LED芯片，能够避免两个芯片发生断裂，有利于后续与驱动基板的键合。
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公开(公告)号：CN220895528U
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202322361646.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L33/44 , H01L33/00 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本实用新型公开了一种多层膜结构的Micro LED显示芯片。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。该芯片从上到下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜、氧化物支撑层。本实用新型通过将两个Micro LED芯片串联，从而能够承受更高的工作电压，以氧化物支撑层支撑两个Micro LED芯片。P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜和氧化物支撑层构成多层膜结构，增加光透过率，提升出光效率。
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公开(公告)号：CN118388261A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410378696.5
申请日：2024-03-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B41/00
Abstract: 本发明涉及一种液态锡介质包裹下的翡翠热处理方法。首先将缅甸翡翠进行打磨和抛光处理；将纯锡块放入小坩埚底部，将抛光后的翡翠放置在锡块上，添加钨片置于翡翠上方，再将纯锡块铺设在钨片上，最后将小坩埚放进填有碳粉的大坩埚之中，匀速升温至预设温度进行热处理，冷却至室温，将小坩埚存放于低温环境中，冷脆后取出翡翠。本发明采用液态锡介质辅助的热处理技术，模拟自然界中翡翠形成的热液条件，改善了传统热处理方法中翡翠透明度降低的局限性。利用“锡疫”特性，确保翡翠在热处理后能够完整无损地从锡锭中分离。该方法维持了翡翠的原有致密结构，未对其韧性和耐久性造成损害，同时保留了翡翠的固有透明度，进而提升了翡翠的整体价值。
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公开(公告)号：CN115621728A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211233601.8
申请日：2022-10-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带电容耦合梳状天线及车载毫米波雷达系统，包括单层介质基板，所述单层介质基板的一面印制金属地板，其相对面印制辐射单元，所述辐射单元包括微带馈线及分布在微带馈线两侧的多个辐射贴片，所述微带馈线的一端依次连接50欧姆微带线及馈电端口，所述馈电端口与金属地板连接；所述多个辐射贴片与微带馈线间隔距离相等，同侧相邻辐射贴片距离相等；辐射贴片的宽度与电流振幅成正比，通过调整辐射贴片的宽度和长度，控制激励幅度得到低的副瓣电平，在控制过程中相邻辐射贴片的间距，辐射贴片与微带馈线的距离均保持不变。本发明使得带宽覆盖76‑81GHz，适用于77GHz汽车雷达的整个频段。
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公开(公告)号：CN1281943A
公开(公告)日：2001-01-31
申请号：CN00117377.4
申请日：2000-09-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: F02F1/10
Abstract: 本发明提供了一种活塞式内燃机气缸的均匀冷却结构的加工方法,步骤为先加工出完整的缸体,然后在缸体的气缸间加工出通水孔,并在气缸盖合适位置安装紧固螺栓的螺套,螺套内加工有紧固气缸盖用的螺栓孔。采用本方法可以精确保证通水孔的形状、大小、位置以及通水孔两侧的壁厚,提高了内燃机气缸的均匀冷却结构的加工精度,降低了废品率,同时可以使内燃机的结构设计更为紧凑,气缸冷却结构设计更加完善,加工制造的难度更小。
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