发明授权
- 专利标题: 一种氮化镓器件结构
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申请号: CN202410038752.0申请日: 2024-01-11
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公开(公告)号: CN117558749B公开(公告)日: 2024-05-03
- 发明人: 司乙川 , 严慧 , 冼添恒 , 张昕
- 申请人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 专利权人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 当前专利权人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 孔凡红
- 主分类号: H01L29/423
- IPC分类号: H01L29/423 ; H01L29/778
摘要:
本发明提供了一种氮化镓器件结构,该氮化镓器件结构包括:氮化镓器件结构的有源区包括多个条形栅极、多个条形源极、多个条形漏极、桥接栅极和栅极导电连接结构;且条形源极和条形漏极之间设置一条形栅极;桥接栅极位于其连接的相邻两选定条形栅极之间的外延层远离衬底的表面,桥接栅极跨越相邻两选定条形栅极之间的条形源极或者条形漏极,以连接相邻的两选定条形栅极,其中,多个条形栅极之中的部分或者全部为选定条形栅极;栅极导电连接结构位于桥接栅极远离外延层的表面,栅极导电连接结构用于接入栅极电源信号。本发明实施例的技术方案降低了氮化镓器件中的栅极电阻,提升了其在高频应用领域的电学性能。
公开/授权文献
- CN117558749A 一种氮化镓器件结构 公开/授权日:2024-02-13
IPC分类: