发明授权
- 专利标题： 一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法
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申请号： CN202410064584.2申请日： 2024-01-17
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公开(公告)号： CN117577745B公开(公告)日： 2024-03-26
- 发明人: 杨永添 , 吴健 , 周昭寅
- 申请人： 广州市尤特新材料有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市花都区花山镇华侨科技工业园华辉路4号
- 专利权人： 广州市尤特新材料有限公司
- 当前专利权人： 广州市尤特新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市花都区花山镇华侨科技工业园华辉路4号
- 代理机构： 广州一锐专利代理有限公司
- 代理商 周升铭
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0296 ; H01L21/388
摘要：
本发明属于半导体材料技术领域，本发明具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本发明创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉，改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率，并提高导电性能，提高载流子迁移率，进而显著提高光电性能。
IPC分类:
