发明公开
CN117594569A 准单片管芯架构
审中-公开
- 专利标题: 准单片管芯架构
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申请号: CN202310887155.0申请日: 2023-07-19
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公开(公告)号: CN117594569A公开(公告)日: 2024-02-23
- 发明人: A·A·埃尔舍比尼 , K·V·瓦拉瓦拉 , 全箕玟 , S·M·利夫 , J·M·斯万 , D·马利克 , F·埃德 , X·F·布伦 , B·J·克里希纳崔亚
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 丁辰; 陈晓
- 优先权: 17/821009 2022.08.19 US
- 主分类号: H01L23/538
- IPC分类号: H01L23/538 ; H01L23/48 ; H01L23/498 ; H01L25/00
摘要:
本发明题为“准单片管芯架构”。本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中,一种微电子组件可包括:具有一个或多个传导迹线和表面的电介质层;在电介质层的表面上的微电子子组件,该微电子子组件包括第一管芯和被电介质材料围绕的贯穿电介质通孔(TDV),其中第一管芯在电介质层的表面;在第一管芯上并且通过具有小于10微米间距的互连而被电耦合到第一管芯的第二管芯和第三管芯,并且其中TDV在第一端处被电耦合到电介质层并在相对的第二端处被电耦合到第二管芯;以及在第二和第三管芯上并耦合到第二和第三管芯的衬底;以及在电介质层的表面上并且在微电子子组件周围的绝缘材料。
IPC分类: