公开(公告)号：CN117594569A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310887155.0

申请日：2023-07-19

申请人： 英特尔公司

发明人： A·A·埃尔舍比尼 ,  K·V·瓦拉瓦拉 ,  全箕玟 ,  S·M·利夫 ,  J·M·斯万 ,  D·马利克 ,  F·埃德 ,  X·F·布伦 ,  B·J·克里希纳崔亚

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

摘要： 本发明题为“准单片管芯架构”。本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可包括：具有一个或多个传导迹线和表面的电介质层；在电介质层的表面上的微电子子组件，该微电子子组件包括第一管芯和被电介质材料围绕的贯穿电介质通孔(TDV)，其中第一管芯在电介质层的表面；在第一管芯上并且通过具有小于10微米间距的互连而被电耦合到第一管芯的第二管芯和第三管芯，并且其中TDV在第一端处被电耦合到电介质层并在相对的第二端处被电耦合到第二管芯；以及在第二和第三管芯上并耦合到第二和第三管芯的衬底；以及在电介质层的表面上并且在微电子子组件周围的绝缘材料。

公开(公告)号：CN116387275A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211475241.2

申请日：2022-11-23

申请人： 英特尔公司

发明人： X·F·布龙 ,  S·加内桑 ,  D·马利克

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L25/18

摘要： 公开了作为用于封装结构的小芯片的带TSV的混合接合堆叠存储器。本文公开的实施例包括小芯片模块和管芯模块。在实施例中，小芯片模块包括第一小芯片，其中，第一小芯片包括第一有源表面。在实施例中，小芯片模块还包括第二小芯片，其中，第二小芯片包括第二有源表面。在实施例中，小芯片模块还包括在第一小芯片和第二小芯片之间的混合接合界面，其中，混合接合界面将第一小芯片电耦合到第二小芯片。

公开(公告)号：CN116314093A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211462459.4

申请日：2022-11-21

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  O·卡尔哈德 ,  N·德什潘德

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/52 ,  H01L25/18

摘要： 集成电路组件可以在晶圆级上制造，其中具有多个开口的基底模板可以覆盖基底衬底(例如，管芯晶圆)，其中基底衬底具有形成在其中的多个第一集成电路器件，并且其中，至少一个第二集成电路器件通过基底模板中的相应开口电附接到对应的第一集成电路器件。因此，当基底衬底和基底模板被单切成单独的集成电路组件时，单独的集成电路组件将各自具有与基底模板的单切部分边缘对准的第一集成电路。基底模板的单切部分可以为各个集成电路组件提供改进的热路径、机械强度和/或电路径。

公开(公告)号：CN104952838B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201410116450.7

申请日：2014-03-26

申请人： 英特尔公司

发明人： R·斯塔克斯托恩 ,  D·马利克 ,  J·S·居泽尔 ,  C-P·秋 ,  D·库尔卡尼 ,  R·V·马哈詹

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 于此总体描述了对于局部高密度基底布线的系统和方法的实施例。在一个或多个实施例中，设备包含介质、第一和第二电路元件、互连元件、以及介电层。所述介质中能够包含低密度布线。所述互连元件能够被嵌入于所述介质中，并且所述互连元件中能够包含多个导电部件，所述导电部件能够电耦合至所述第一电路元件和所述第二电路元件。所述互连元件中能够包含高密度布线。所述介电层能够在所述互连管芯之上，所述介电层包含穿过所述介电层的所述第一和第二电路元件。

公开(公告)号：CN104253111B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410293670.7

申请日：2014-06-26

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  R·L·赞克曼 ,  S·沙兰

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/16 ,  H01L24/26 ,  H01L24/32 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于IC封装的硅空间转变器。描述了一种包括至少第一集成电路(IC)和晶片制造的空间转变器(ST)的装置。所述IC包括底表面上的具有第一焊盘间距的接合焊盘。所述ST包括具有所述第一焊盘间距的接合焊盘的顶表面，并且所述第一IC的接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合。所述ST包括具有第二焊盘间距的接合焊盘的底表面、所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层、以及所述电介质层中的导电性互连，其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。

公开(公告)号：CN104011851B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201180075817.X

申请日：2011-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  R·S·维斯瓦纳斯 ,  S·斯里尼瓦桑 ,  M·T·博尔 ,  A·W·耶欧 ,  S·阿格拉哈拉姆

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了具有窗口插入器的3D集成电路封装和用于形成这种半导体封装的方法。例如，半导体封装包括衬底。顶部半导体管芯设置在衬底上。具有窗口的插入器设置在衬底和顶部半导体管芯之间并且互连至衬底和顶部半导体管芯。底部半导体管芯设置在插入器的窗口中并且互连至顶部半导体管芯。在另一示例中，半导体封装包括衬底。顶部半导体管芯设置在衬底上。插入器设置在衬底和顶部半导体管芯之间并且互连至衬底和顶部半导体管芯。底部半导体管芯设置在与插入器相同的平面中并且互连至顶部半导体管芯。

公开(公告)号：CN103999215B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201180075511.4

申请日：2011-12-16

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  S·纳拉辛汉 ,  M·J·曼努沙洛 ,  T·A·博伊德

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： 用于微电子管芯(110)的封装包括邻近所述管芯的第一表面(112)的第一衬底(120)，邻近所述第一衬底的第二衬底(130)，以及邻近所述管芯的第二表面(111)的散热器(140)。所述散热器与所述第一衬底和第二衬底两者都接触。

公开(公告)号：CN104952838A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410116450.7

申请日：2014-03-26

申请人： 英特尔公司

发明人： R·斯塔克斯托恩 ,  D·马利克 ,  J·S·居泽尔 ,  C-P·秋 ,  D·库尔卡尼 ,  R·V·马哈詹

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 于此总体描述了对于局部高密度基底布线的系统和方法的实施例。在一个或多个实施例中，设备包含介质、第一和第二电路元件、互连元件、以及介电层。所述介质中能够包含低密度布线。所述互连元件能够被嵌入于所述介质中，并且所述互连元件中能够包含多个导电部件，所述导电部件能够电耦合至所述第一电路元件和所述第二电路元件。所述互连元件中能够包含高密度布线。所述介电层能够在所述互连管芯之上，所述介电层包含穿过所述介电层的所述第一和第二电路元件。

公开(公告)号：CN117790482A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311804377.8

申请日：2020-03-25

申请人： 英特尔公司

发明人： D·马利克 ,  R·马哈詹 ,  R·桑克曼 ,  S·利夫 ,  S·皮坦巴拉姆 ,  B·彭梅查

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98

摘要： 本文中公开的实施例包括电子封装和制造电子封装的方法。在实施例中，一种电子封装包括：插入器，其中，腔穿过所述插入器；以及在所述腔中的嵌套组件。在实施例中，该电子封装还包括管芯，该管芯通过第一互连耦合到所述插入器，并且通过第二互连耦合到所述嵌套组件。在实施例中，第一和第二互连包括第一凸块，在第一凸块之上的凸块焊盘和在凸块焊盘之上的第二凸块。

公开(公告)号：CN117581649A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045417.2

申请日：2022-08-22

申请人： 英特尔公司

发明人： S·V·皮耶塔姆巴拉姆 ,  B·C·马林 ,  D·马利克 ,  T·A·易卜拉欣 ,  J·埃克顿 ,  O·G·卡尔哈德 ,  B·P·佩恩梅查 ,  李晓倩 ,  N·A·德什潘德 ,  M·莫迪 ,  B·聂

IPC分类号： H10B80/00

摘要： 公开了一种光电子组件，包括具有由玻璃组成的芯的衬底，以及耦合到衬底的第一侧面的光子集成电路(PIC)和电子IC(EIC)。芯包括波导，所述波导具有靠近第一侧面的第一端点和暴露在衬底的与第一侧面正交的第二侧面上的第二端点。波导的第一端点位于芯的与衬底的第一侧面平行的第三侧面上。衬底还包括与第一端点对准的光学过孔，并且光学过孔在第一侧面与第三侧面之间延伸。在各种实施例中，波导具有可以通过激光在第一端点和第二端点之间刻划的任何形状。