发明公开
- 专利标题: 一种高频磁性元件的温度场解析计算方法和系统
-
申请号: CN202311390455.4申请日: 2023-10-25
-
公开(公告)号: CN117610335A公开(公告)日: 2024-02-27
- 发明人: 郑泽东 , 肖云昊 , 李驰 , 王辰曦 , 刘娇健
- 申请人: 清华大学 , 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 专利权人: 清华大学,国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 清华大学,国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 冀志华
- 主分类号: G06F30/23
- IPC分类号: G06F30/23 ; G06F119/08 ; G06F113/08
摘要:
本发明涉及一种高频磁性元件的温度场解析计算方法和系统,包括以下步骤:对目标高频磁性元件进行规则区域划分,并根据目标高频磁性元件的实际结构对各规则区域对应的等效热阻网络进行连接,得到目标高频磁性元件整体的等效热阻网络;以目标高频磁性元件整体的等效热阻网络为基础,结合目标高频磁性元件各规则区域的等效热导率和损耗分布分析结果,通过热电耦合迭代计算,得到目标高频磁性元件稳定运行时的温度。本发明可以广泛应用于电力电子领域、高频变压器领域。