一种MOS管临界雪崩能量仿真预测电路、方法及控制模块

    公开(公告)号:CN117970065A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410115290.8

    申请日:2024-01-26

    IPC分类号: G01R31/26 H02H7/20

    摘要: 本发明涉及电力电子技术领域,公开了一种MOS管临界雪崩能量仿真预测电路、方法及控制模块。本发明可以通过MOS管模型进行雪崩击穿仿真测试并向电路中的每个器件模型输出暂态平均结温,当第二开关模型闭合时,确定MOS关模型发生雪崩失效,以及根据电压源模型的端电压和MOS管模型的漏极电流确定临界雪崩能量。其中,第二开关模型在第一时刻之后且与第一时刻间隔预设时长的第二时刻闭合;第一时刻为在第一开关模型闭合的情况下,暂态平均结温不小于设定温度阈值的时刻。本发明可以大幅减少在确定MOS管的临界雪崩能量时需进行的真实临界雪崩能量测试次数,从而大幅减少相关试验器件出现损坏或失效,减少设备损害风险。