发明公开
- 专利标题: 一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法
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申请号: CN202311429465.4申请日: 2023-10-31
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公开(公告)号: CN117615579A公开(公告)日: 2024-02-27
- 发明人: 李跃 , 谢仕锋 , 韦春树 , 刘兴鹏 , 杨万里 , 尹思杰
- 申请人: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区六合路98号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第三十四研究所,桂林电子科技大学
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第三十四研究所,桂林电子科技大学
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区六合路98号
- 代理机构: 桂林文必达专利代理事务所
- 代理商 张学平
- 主分类号: H10B53/30
- IPC分类号: H10B53/30
摘要:
本发明涉及微电子存储器技术领域,具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法,包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干;将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室,并通入氧气,使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜;对所述薄膜进行原位退火后降温取出;遮住部分所述薄膜,再次送入脉冲激光沉积系统腔室,使用1.1%wt Nb:SrTiO3制备得到底电极层;对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层;对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出;将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层,得到无铅BaTiO3铁电存储器,解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。