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公开(公告)号：CN117539079A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311427743.2
申请日：2023-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN117615579A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429465.4
申请日：2023-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
IPC分类号： H10B53/30
摘要： 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。
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公开(公告)号：CN117518354A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480597.X
申请日：2023-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
摘要： 本发明涉及铌酸锂光子芯片技术领域，具体涉及一种三叉戟结构薄膜铌酸锂模斑转换器，包括衬底、氧化物层、氮氧化硅波导和铌酸锂波导，铌酸锂波导在氮氧化硅波导内为三叉戟结构，传输部分为锥形结构。通过铌酸锂波导宽度的逐渐增大，波导对于光的限制作用增强，当波导宽度增大到一定程度时，光被限制在波导中，光斑尺寸随之减小，实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合，经过优化设计模斑转换器传输过程的透过率为0.99，三叉戟结构的铌酸锂波导和引用氮氧化硅波导更方便的与光纤连接，提高了耦合效率。
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公开(公告)号：CN117705165A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311534007.7
申请日：2023-11-16
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所
摘要： 本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种高支模监测数据采集系统及方法，包括光纤传感子系统、信号采集子系统、数据处理子系统、数据存储子系统、电源监控子系统、蓄电子系统、控制子系统和新能源子系统，光纤传感子系统、信号采集子系统、数据处理子系统和数据存储子系统相互配合实现对高支模结构的监测，并对监测的数据进行处理后存储；电源监控子系统监控电源为上述子系统的供电状态；蓄电子系统在电源监控子系统监测到有电源供电时，将多余电源进行存储；控制子系统在供电状态处于断电时，控制蓄电子系统存储的电源为上述子系统供电；新能源子系统在控制子系统的控制下，将太阳能转换为电能后存储在蓄电子系统内。
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公开(公告)号：CN117608108A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311604324.1
申请日：2023-11-28
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 广西师范大学
摘要： 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种双电容负载式行波电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和隔离层，在光波导与电极之间加入一个SiO2隔离层，金属电极做一个完全下沉处理，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电极为双电容负载结构，该电极可有效降低电损耗，获得高带宽，在光电效率上，双电容电极同时在上下两个部分作用，有效的增大调制效率，金属电极沿光波导的Y轴排列，该光调制器在1cm调制长度下实现了近1.53V的半波电压和0.32dB/cm的电光损耗，同时表现出远大于60Ghz的电光带宽对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN115764514A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211375896.2
申请日：2022-11-04
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明涉及光电技术领域，具体涉及一种小型化高稳定低相噪光电振荡器，信号激光器输出光信号，光信号进入电光调制器经过调制后输出，输出的光信号由偏振分束器分成偏振态正交的两路光信号，两路光信号分别进入具有高Q值的可调谐振微腔，经过微腔振荡后的信号由偏振合路器合成一路信号并进入光电探测器，经过光电变换后输出由多个频率分量构成的微波信号，微波信号进入滤波器后得到10GHz的单频信号，1A路进入低噪声放大器放大后再由第二功分器分为两路，一路作为信号输出，一路作为振荡信号注入电光调制器，B路信号进入频率锁定模块，与参考频率做对比步完成锁相过程，解决现有的光电振荡器结构较大导致稳定性降低的问题。
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公开(公告)号：CN117834001A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311602803.X
申请日：2023-11-28
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC分类号： H04B10/071 , H04B10/079
摘要： 本发明涉及网络通信技术领域，具体涉及一种网络光纤检测装置及方法，根据实际需求选择相应的检测装置，根据实际网络拓扑结构和测试需求，确定测试的光纤链路和测试点，按照测试规范和操作流程，对每个测试点进行光纤链路损耗测试和故障定位测试，根据测试结果进行分析和评估，提出维护和优化建议，对于丢失或需要查找的光缆，使用光缆普查仪进行查找，对于FTTHPON网络，使用PON光功率计进行网络测试，确保网络通信要求得到满足。对光纤通信系统的光纤链路进行全面、准确、高效的检测，以确保系统的正常运行，包括光纤链路损耗测试、光纤故障定位测试以及查找光缆，满足用户需求。
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公开(公告)号：CN117692178A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311571608.5
申请日：2023-11-23
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所
摘要： 本发明涉及网络安全技术领域，具体涉及一种光网络安全保护方法，包括通过部署在光网络中的采集设备，收集网络中的数据流量和操作行为，生成原始数据集；对所述原始数据集进行预处理，得到用于深度学习模型训练的特征向量；使用深度学习模型对所述特征向量进行训练，得到光网络安全保护模型；将实时采集的网络数据输入所述光网络安全保护模型中进行分析和判断，检测是否存在安全威胁，得到检测结果；若所述检测结果中存在安全威胁，则系统将自动采取相应的响应措施，本发明通过收集网络中的原始数据，利用深度学习算法对数据进行处理和分析，可以有效地检测和应对各种光网络安全威胁，提高数据传输的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117705057A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311529093.2
申请日：2023-11-16
申请人： 中国电子科技集团公司第三十四研究所
摘要： 本发明涉及建筑施工技术领域，具体涉及一种高支模安全监测方法及设备，包括纵向光纤倾角仪、横向光纤倾角仪和供电组件，供电组件包括安装板、安装箱、储能电池和发电构件，安装板位于纵向光纤倾角仪的下方，安装箱与安装板固定连接，储能电池位于安装箱的内部，发电构件与安装箱连接。通过纵向光纤倾角仪和横向光纤倾角仪进行实时监测高支模体系的倾斜度，提前预警，监测过程中出现断电时，储能电池进行供电，储能电池放置在安装箱内，安装箱通过安装板设置在纵向光纤倾角仪的下方，通过发电构件发电，而电能储存在储能电池内，进而保障纵向光纤倾角仪和横向光纤倾角仪的持续且稳定的供电，避免无法及时预警的情况发生。
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