Invention Publication
- Patent Title: 具有泄漏反射器的BAW谐振器
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Application No.: CN202311005126.3Application Date: 2023-08-09
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Publication No.: CN117639714APublication Date: 2024-03-01
- Inventor: A·塔切克 , M·J·莫德雷斯-扎德 , T·贝尔
- Applicant: QORVO美国公司
- Applicant Address: 美国北卡罗来纳
- Assignee: QORVO美国公司
- Current Assignee: QORVO美国公司
- Current Assignee Address: 美国北卡罗来纳
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 刘倜
- Priority: 63/402,291 2022.08.30 US
- Main IPC: H03H9/17
- IPC: H03H9/17 ; H03H9/13 ; H03H9/02

Abstract:
本公开涉及一种体声波(BAW)谐振器,其包含:底部电极、具有边界环(BO)结构的顶部电极结构、夹在所述底部电极与所述顶部电极之间的压电层,以及具有嵌入在低声阻抗区中的高声阻抗层的反射器。在本文中,所述BO结构围绕所述顶部电极结构的周边形成且界定所述BAW谐振器的BO区。所述高声阻抗层竖直地位于所述底部电极之下,且通过所述低声阻抗区的第一部分与所述底部电极隔开。第一高声阻抗层的宽度小于所述顶部电极结构的宽度,使得所述第一高声阻抗层不完全延伸穿过所述BAW谐振器的所述BO区。
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IPC分类: