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公开(公告)号：CN118975150A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031072.X
申请日：2023-05-09
申请人： QORVO美国公司
发明人： N·卡拉特
摘要： 本文提供了无线通信电路中的波束成形相位校正。所述无线通信电路被配置成发射多个经处理的信号，所述多个经处理的信号通过将码字应用于射频(RF)信号产生。所述码字定义一组复值系数，所述一组复值系数将使所述经处理的信号中的每个经处理的信号与多个所定义的相位中的相应所定义的相位相关联，使得所述经处理的信号可以在同时从多个天线元件发射时形成RF波束。然而，例如，当所述经处理的信号被放大时，可以改变一些或所有所定义的相位。在这方面，在本文所公开的实施例中，相位校正电路被配置成确定一个或多个相位校正项，并将所确定的相位校正项应用于所述经处理的信号中的一个或多个经处理的信号，由此校正不期望的相位变化并恢复所述经处理的信号之间的相干性。
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公开(公告)号：CN118661378A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020649.7
申请日：2023-02-03
申请人： QORVO美国公司
摘要： 一种功率放大电路包含放大器电路(800)，所述放大器电路包括串联耦合在输出节点(816)与参考电压节点之间的共源共栅晶体管。偏置控制电路包含接通状态偏置控制电路(806)、第一断开状态偏置控制电路和第二断开状态偏置控制电路，以向所述多个共源共栅晶体管的控制端子提供偏置电压。所述接通状态偏置控制电路(806)在操作期间控制所述偏置电压。在第一断开状态下，静电电荷可能在所述输出节点(816)上引起破坏性电压。所述第一断开状态偏置电路(808)基于所述静电电荷而产生偏置电压。第二断开状态状况发生在耦合到输出节点的无源放大器电路中，在所述输出节点上，由耦合到所述输出节点(816)的并联有源放大器电路产生电压。
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公开(公告)号：CN118263134A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410364357.1
申请日：2019-11-26
申请人： QORVO美国公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/433 , H01L23/367
摘要： 一种热增强型封装包含载体、所述载体之上的经减薄管芯、模制化合物以及除热器。所述经减薄管芯包含所述载体之上的装置层和所述装置层之上的介电层。所述模制化合物位于所述载体之上、围绕所述经减薄管芯并且延伸到所述经减薄管芯的顶表面之外以在所述模制化合物内和所述经减薄管芯之上限定开口。所述经减薄管芯的所述顶表面处于所述开口的底部处。所述除热器的至少一部分插入到所述开口中并且与所述经减薄管芯热接触。在本文中，所述除热器由金属或合金形成。
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公开(公告)号：CN118017833A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311394868.X
申请日：2023-10-26
申请人： QORVO美国公司
发明人： M·诺加瓦
摘要： 本公开涉及使用不同电压电平来闭合开关转换器中的开关。公开了开关电路系统的实施例。在一些实施例中，所述开关电路系统包含开关和开关控制电路。所述开关具有控制端子。驱动器电路被配置成最初以第一电压电平将第一电压施加到所述控制端子，使得所述开关从断开变为闭合。所述驱动器电路被配置成响应于第一电压而以第二电压电平施加第二电压，使得所述开关的所述控制端子处的电压达到阈值电压电平，其中所述第二电压电平的量值小于所述第一电压电平的量值。通过在最初闭合所述开关时使用较高电压电平，所述开关被快速闭合。一旦所述开关闭合，就使用较低电压电平来使所述开关保持闭合。
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公开(公告)号：CN113316841B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201980088979.3
申请日：2019-12-17
申请人： QORVO美国公司
发明人： 迪库马尔·M·奈尔 , 罗伯特·查尔斯·德里 , 杰弗里·德科斯基
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/552
摘要： 公开了电子封装件布置及相关方法，这些布置及方法提供改进的热管理和电磁屏蔽中的一种或多种。公开了电子封装件，这些电子封装件包括一个或多个电子器件、包覆成型体、及均热片或金属框架结构的布置。均热片或金属框架结构可被布置在电子器件的上方以形成散热路径，这些散热路径在一个或多个方向上(包括在电子封装件的上方和下方)从电子器件中吸收操作热。均热片或金属框架结构也可布置为形成电磁屏蔽，这些电磁屏蔽减少在电子封装件内各电子器件之间的串扰并且阻止不需要的发射逸出或者进入电子封装件。
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公开(公告)号：CN117747423A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311001325.7
申请日：2023-08-10
申请人： QORVO美国公司
发明人： 克里希纳·切特里 , 甘尼桑·拉达克里希南
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02
摘要： 本公开涉及用于对体硅装置进行抛光的方法。公开了用于对体硅进行抛光的方法。在一个方面，当机械抛光头在表面上操作时，通过在硅反应性浆料与去离子水之间循环交替来促进机械抛光。在示例性方面，所述抛光头对体硅载体晶片进行抛光以暴露射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)开关的背面，但其它半导体也可以受益于本公开的示例性方面。当存在硅浆料时，所述体硅与所述浆料之间发生反应，使得所述抛光头去除所述体硅。所述去离子水会中断这种反应，并有助于防止过度抛光，否则可能会损坏装置。
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公开(公告)号：CN117639715A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311047316.1
申请日：2023-08-18
申请人： QORVO美国公司
摘要： 本公开涉及具有双阶梯氧化物边界环结构的BAW谐振器。公开了一种体声波(BAW)谐振器，其包含底部电极、所述底部电极上方的压电层，以及具有顶部电极和双阶梯BO环结构的顶部电极结构。本文中，所述双阶梯BO结构形成于所述压电层上方且围绕所述顶部电极结构的周边，使得所述压电层的中心部分不被所述双阶梯BO结构覆盖。所述双阶梯BO结构由氧化物材料形成，且包含具有第一高度的内部BO环以及具有大于所述第一高度的第二高度的外部BO环，使得所述双阶梯BO结构的高度朝向所述压电层的所述中心部分减小。所述顶部电极形成于所述压电层的所述中心部分上方且在所述双阶梯BO结构上方延伸。
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公开(公告)号：CN117639714A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311005126.3
申请日：2023-08-09
申请人： QORVO美国公司
发明人： A·塔切克 , M·J·莫德雷斯-扎德 , T·贝尔
摘要： 本公开涉及一种体声波(BAW)谐振器，其包含：底部电极、具有边界环(BO)结构的顶部电极结构、夹在所述底部电极与所述顶部电极之间的压电层，以及具有嵌入在低声阻抗区中的高声阻抗层的反射器。在本文中，所述BO结构围绕所述顶部电极结构的周边形成且界定所述BAW谐振器的BO区。所述高声阻抗层竖直地位于所述底部电极之下，且通过所述低声阻抗区的第一部分与所述底部电极隔开。第一高声阻抗层的宽度小于所述顶部电极结构的宽度，使得所述第一高声阻抗层不完全延伸穿过所述BAW谐振器的所述BO区。
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公开(公告)号：CN111541634B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202010083654.0
申请日：2020-02-07
申请人： QORVO美国公司
发明人： 纳迪姆·赫拉特
摘要： 提供了一种用于宽调制带宽包络跟踪的自适应频率均衡器。就这一点而言，ET集成电路(ETIC)为一个或多个功率放大器(PA)提供ET功率信号。由于可变阻抗源(诸如PA处的可变负载阻抗以及ETIC与PA之间的可变迹线电感)，ET功率信号中可能会出现电压误差。本文所公开的自适应频率均衡器用于自适应地校正此类电压误差，以在PA处提供改善的总功率信号跟踪，尤其是由于ETIC位于距离PA数厘米(cm)处而存在较大迹线电感的情况下。因此，自适应频率均衡器的实施例增强了具有100或更高兆赫兹(MHz)的调制带宽的射频(RF)系统的ET性能。
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公开(公告)号：CN116781459A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310241183.5
申请日：2023-03-14
申请人： QORVO美国公司
摘要： 公开用于信道估计的系统和方法。在一个方面，限定序列的超互补集合(SCS)，并且更任选但更具体地，从所述SCS产生超互补零和互相关(SZC)序列块并发送到接收器。所述接收器接收包含通过信道频率偏移(CFO)变形的所述SCS或SZC序列块的信号。所述接收器可将所述信号与已知SCS或SZC相关以产生具有极少或没有旁瓣的信号，可从其中去除CFO并形成信道估计。基于所述信道估计，可确定发送器与接收器之间的距离并用于其它目的，例如提供基于位置的服务。
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