Invention Publication
- Patent Title: 具有双阶梯氧化物边界环结构的BAW谐振器
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Application No.: CN202311047316.1Application Date: 2023-08-18
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Publication No.: CN117639715APublication Date: 2024-03-01
- Inventor: A·塔切克 , T·贝尔 , I·韦雷斯
- Applicant: QORVO美国公司
- Applicant Address: 美国北卡罗来纳
- Assignee: QORVO美国公司
- Current Assignee: QORVO美国公司
- Current Assignee Address: 美国北卡罗来纳
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 刘倜
- Priority: 63/402,245 2022.08.30 US
- Main IPC: H03H9/17
- IPC: H03H9/17 ; H03H9/02

Abstract:
本公开涉及具有双阶梯氧化物边界环结构的BAW谐振器。公开了一种体声波(BAW)谐振器,其包含底部电极、所述底部电极上方的压电层,以及具有顶部电极和双阶梯BO环结构的顶部电极结构。本文中,所述双阶梯BO结构形成于所述压电层上方且围绕所述顶部电极结构的周边,使得所述压电层的中心部分不被所述双阶梯BO结构覆盖。所述双阶梯BO结构由氧化物材料形成,且包含具有第一高度的内部BO环以及具有大于所述第一高度的第二高度的外部BO环,使得所述双阶梯BO结构的高度朝向所述压电层的所述中心部分减小。所述顶部电极形成于所述压电层的所述中心部分上方且在所述双阶梯BO结构上方延伸。
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IPC分类: